公开(公告)号：CN1422979A

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN02152989.2

申请日：2002-11-29

Applicant: 柯尼卡株式会社

Inventor： 辻稔夫 ,  伊藤博人 ,  清村贵利

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/45595 ,  C23C16/407 ,  C23C16/50 ,  Y10T428/24917

Abstract: 本发明提供一种安全性高、生产性好、具有良好的光学及电特性、在塑料薄膜基材上的良好的临界曲率半径的透明导电膜的形成方法,采用该方法形成的透明导电膜与具有该透明导电膜的物品。所述形成方法包括如下步骤:将反应性气体导入放电空间,通过在大气压或大气压附近的压力下放电,激发反应性气体成为等离子体状态,将基材暴露于前述等离子体状态的反应性气体中,在前述基材上形成透明导电膜,其中,前述反应性气体含有还原性气体。

公开(公告)号：CN1312319C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN02152989.2

申请日：2002-11-29

Applicant: 柯尼卡株式会社

Inventor： 辻稔夫 ,  伊藤博人 ,  清村贵利

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/30

Abstract: 本发明提供一种安全性高、生产性好、具有良好的光学及电特性、在塑料薄膜基材上的良好的临界曲率半径的透明导电膜的形成方法，采用该方法形成的透明导电膜与具有该透明导电膜的物品。所述形成方法包括如下步骤：将反应性气体导入放电空间，通过在大气压或大气压附近的压力下放电，激发反应性气体成为等离子体状态，将基材暴露于前述等离子体状态的反应性气体中，在前述基材上形成透明导电膜，其中，前述反应性气体含有还原性气体。