公开(公告)号：CN1643184A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03805898.7

申请日：2003-03-12

Applicant: 株式会社三德

Inventor： 山本泰弘 ,  横山幸弘 ,  金子明仁

IPC: C25C3/34 ,  C25C7/00

CPC classification number: C25C3/34

Abstract: 本发明制造法是在实际作业水平下抑制得到的合金的组成变动、抑制杂质的含有比例、能够稳定长期连续地得到高品位的R－铁合金的制造法，该法包括：准备电解装置的工序(A)，该电解装置具备直流电极、和具有加温炉底面的加温手段的电解炉；向电解炉引入直流电极、特定的氟化物熔融电解浴的工序(B)；为了生成R－铁合金、并向电解炉的炉底部沉淀该合金，而以DyF3和/或TeF3为原料电解还原的工序(C)；和，回收通过工序(C)沉淀的合金的工序(D)，一边在将直流电极间的电解浴的温度保持在900－970℃的条件下，且采用加温手段将沉淀的合金的温度加温控制在850－1000℃的范围，一边实施工序(C)的电解还原。

公开(公告)号：CN102741436B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN200980162397.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 株式会社三德

Inventor： 金贤姬 ,  松村健树 ,  难波信次 ,  海野真一 ,  后藤崇之 ,  谷渕裕司 ,  横山幸弘

IPC: C22C23/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/06

CPC classification number: C22F1/06 ,  C22C23/00 ,  C23C22/34 ,  C23C22/78 ,  C23G1/12

Abstract: 本发明提供了一种具有高度均衡的耐腐蚀性和冷加工性并具有一定程度的抗拉强度的非常轻质的镁锂合金，以及由该合金制成的轧制材料和成型制品。本发明的合金包含不低于10.5质量%且不高于16.0质量%的Li，不低于0.50质量%且不高于1.50质量%的Al，以及余量的Mg，并且具有不小于5μm且不大于40μm的平均晶粒尺寸，以及不低于150MPa的抗拉强度或不低于50的维氏硬度（HV）。

公开(公告)号：CN100402706C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN03805898.7

申请日：2003-03-12

Applicant: 株式会社三德

Inventor： 山本泰弘 ,  横山幸弘 ,  金子明仁

IPC: C25C3/34 ,  C25C7/00

CPC classification number: C25C3/34

Abstract: 本发明制造法是在实际作业水平下抑制得到的合金的组成变动、抑制杂质的含有比例、能够稳定长期连续地得到高品位的R-铁合金的制造法，该法包括：准备电解装置的工序(A)，该电解装置具备直流电极、和具有加温炉底面的加温手段的电解炉；向电解炉引入直流电极、特定的氟化物熔融电解浴的工序(B)；为了生成R-铁合金、并向电解炉的炉底部沉淀该合金，而以DyF3和/或TeF3为原料电解还原的工序(C)；和，回收通过工序(C)沉淀的合金的工序(D)，一边在将直流电极间的电解浴的温度保持在900-970℃的条件下，且采用加温手段将沉淀的合金的温度加温控制在850-1000℃的范围，一边实施工序(C)的电解还原。

公开(公告)号：CN102741436A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200980162397.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 株式会社三德

Inventor： 金贤姬 ,  松村健树 ,  难波信次 ,  海野真一 ,  后藤崇之 ,  谷渕裕司 ,  横山幸弘

IPC: C22C23/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/06

CPC classification number: C22F1/06 ,  C22C23/00 ,  C23C22/34 ,  C23C22/78 ,  C23G1/12

Abstract: 本发明提供了一种具有高度均衡的耐腐蚀性和冷加工性并具有一定程度的抗拉强度的非常轻质的镁锂合金，以及由该合金制成的轧制材料和成型制品。本发明的合金包含不低于10.5质量%且不高于16.0质量%的Li，不低于0.50质量%且不高于1.50质量%的Al，以及余量的Mg，并且具有不小于5μm且不大于40μm的平均晶粒尺寸，以及不低于150MPa的抗拉强度或不低于50的维氏硬度（HV）。

公开(公告)号：CN101573296B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200780048151.2

申请日：2007-11-02

Applicant: 株式会社三德

Inventor： 中村英次 ,  高田裕章 ,  横山幸弘 ,  宫本博

IPC: C01D15/04

CPC classification number: C01D15/04 ,  C25C3/02

Abstract: 本发明提供金属锂的制备方法，其能够避免由氯气及碳酸锂的溶融盐造成的装置材料的腐蚀，高效地制备无水氯化锂，以所得到的无水氯化锂作为原料，通过熔融盐电解法，安全且高效地制备金属锂。该方法包括：为了制备无水氯化锂而用干式法使碳酸锂与氯气进行接触反应的工序(A)、将含有所得到的无水氯化锂的电解原料在金属锂生成条件下进行熔融盐电解的工序(B)，并且利用由工序(B)的熔融盐电解产生的氯气作为工序(A)中使用的氯气，连续地进行工序(A)及工序(B)。

公开(公告)号：CN101573296A

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200780048151.2

申请日：2007-11-02

Applicant: 株式会社三德

Inventor： 中村英次 ,  高田裕章 ,  横山幸弘 ,  宫本博

IPC: C01D15/04

CPC classification number: C01D15/04 ,  C25C3/02

Abstract: 本发明提供金属锂的制备方法，其能够避免由氯气及碳酸锂的溶融盐造成的装置材料的腐蚀，高效地制备无水氯化锂，以所得到的无水氯化锂作为原料，通过熔融盐电解法，安全且高效地制备金属锂。该方法包括：为了制备无水氯化锂而用干式法使碳酸锂与氯气进行接触反应的工序(A)、将含有所得到的无水氯化锂的电解原料在金属锂生成条件下进行熔融盐电解的工序(B)，并且利用由工序(B)的熔融盐电解产生的氯气作为工序(A)中使用的氯气，连续地进行工序(A)及工序(B)。