公开(公告)号：CN101047170A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710091312.8

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野冢丰 ,  山田浩 ,  舟木英之 ,  板谷和彦

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/98 ,  H01L21/82

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。

公开(公告)号：CN100593853C

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200710091312.8

申请日：2007-03-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野冢丰 ,  山田浩 ,  舟木英之 ,  板谷和彦

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/98 ,  H01L21/82

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0771 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。