公开(公告)号：CN101510543B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200910007167.X

申请日：2009-02-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田浩 ,  板谷和彦 ,  小野塚丰 ,  舟木英之

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种集成半导体器件，其包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。

公开(公告)号：CN101510543A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910007167.X

申请日：2009-02-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田浩 ,  板谷和彦 ,  小野塚丰 ,  舟木英之

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/498 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明涉及一种集成半导体器件，其包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。