公开(公告)号：CN110603624B

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN201880030197.X

申请日：2018-01-25

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 友利直己 ,  名儿耶友宏

IPC: H01L21/56 ,  B32B7/02 ,  B32B7/12 ,  B32B25/08 ,  B32B27/00 ,  B32B27/30 ,  B32B27/34 ,  C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明公开一种半导体密封成形用临时保护膜(10)，其具备支撑膜(1)和设置在支撑膜(1)上且含有丙烯酸系橡胶的粘接层(2)。半导体密封成形用临时保护膜(10)的200℃下的固体剪切弹性模量可以为5.0MPa以上。

公开(公告)号：CN117334646A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202311257971.X

申请日：2019-03-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 黑田孝博 ,  名儿耶友宏 ,  友利直己

IPC: H01L23/29 ,  C09J7/25 ,  C09J7/30 ,  C09J179/08 ,  C08G73/12 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495

Abstract: 本发明涉及半导体密封成形用临时保护膜、带有临时保护膜的引线框、带有临时保护膜的密封成形体及制造半导体装置的方法。本发明公开一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜中，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量％且为35质量％以下。

公开(公告)号：CN111406308B

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN201980005916.7

申请日：2019-03-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 友利直己 ,  名儿耶友宏 ,  黑田孝博

IPC: H01L21/56 ,  B32B7/027 ,  B32B27/00 ,  C08G73/14 ,  C09J7/25 ,  C09J7/30 ,  C09J201/00 ,  C09J201/02 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明公开了一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜的30℃～200℃下的线膨胀系数在半导体密封成形用临时保护膜的至少1个面内方向上可以为16ppm/℃以上且20ppm/℃以下。

公开(公告)号：CN111386594B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201980005923.7

申请日：2019-03-01

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 黑田孝博 ,  名儿耶友宏 ,  友利直己

IPC: H01L21/56 ,  C09J7/22 ,  C09J7/25 ,  C09J7/30 ,  C09J7/35 ,  C09J11/06 ,  C09J201/02 ,  H01L23/50

Abstract: 本发明公开一种半导体密封成形用临时保护膜，其具备支撑膜和设置在支撑膜的单面或两面上且含有树脂和硅烷偶联剂的粘接层。半导体密封成形用临时保护膜中，硅烷偶联剂的含量相对于树脂总量可以超过5质量％且为35质量％以下。