公开(公告)号：CN118251448A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280075693.3

申请日：2022-09-27

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 渡部昌仁 ,  宫本祐树

IPC: C08G75/12 ,  C08G59/66

Abstract: 本发明公开一种热固性组合物。该热固性组合物含有具有二硫键的聚硫醇化合物、具有聚醚链且具有2个以上的环状醚基的环状醚化合物、固化促进剂及光自由基引发剂。

公开(公告)号：CN115698135B

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202180037370.0

申请日：2021-10-13

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫本祐树 ,  渡部昌仁 ,  熊木尚

IPC: C08G75/045 ,  C09J11/06 ,  C09J181/02 ,  C09J181/04 ,  C09J4/00

Abstract: 本发明公开一种光固化性组合物，其含有：具有二硫键的二硫醇化合物；具有2个烯属不饱和基团的化合物；夺氢型光自由基引发剂；及分子内裂解型光自由基引发剂。

公开(公告)号：CN119096332A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036437.8

申请日：2023-10-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫本祐树 ,  诸崎友人 ,  铃木克彦 ,  和田真幸 ,  渡部昌仁 ,  坂本圭市 ,  近藤秀一 ,  齐藤晃一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：第1层叠体制作工序，制作依次具备半导体晶圆、包含通过照射光而低分子化的树脂的树脂层及基材层的第1层叠体；第2层叠体制作工序，对第1层叠体的半导体晶圆进行背面磨削而制作第2层叠体；及第3层叠体制作工序，去除第2层叠体的基材层，并制作具备进行了背面磨削的半导体晶圆及树脂层的第3层叠体。

公开(公告)号：CN119731241A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202380059791.2

申请日：2023-06-29

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 坂本圭市 ,  宫本祐树 ,  和田真幸 ,  渡部昌仁

IPC: C08G75/045

Abstract: 本发明涉及一种组合物，其含有：具有2个以上二硫键的二硫化物、具有2个以上烯丙基的烯丙基化合物及分子内裂解型光自由基引发剂。

公开(公告)号：CN119096331A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036146.9

申请日：2023-10-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫本祐树 ,  崔咳谧 ,  岩永有辉启 ,  和田真幸 ,  坂本圭市 ,  渡部昌仁 ,  近藤秀一 ,  齐藤晃一

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其具备：第1层叠体制作工序，制作具备半导体晶圆、包含通过与水反应而低分子化的树脂的树脂层及基材层的第1层叠体；第2层叠体制作工序，对所述第1层叠体的所述半导体晶圆进行背面磨削而制作第2层叠体；及第3层叠体制作工序，去除所述第2层叠体的所述基材层，并制作具备进行了背面磨削的所述半导体晶圆及所述树脂层的第3层叠体。

公开(公告)号：CN119096328A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036860.8

申请日：2023-10-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫本祐树 ,  诸崎友人 ,  铃木克彦 ,  和田真幸 ,  坂本圭市 ,  渡部昌仁 ,  近藤秀一 ,  齐藤晃一

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法，其具备：树脂膜形成工序，在半导体晶圆上形成包含通过与水反应而低分子化的树脂的树脂膜；带有树脂膜片的半导体芯片制作工序，通过将形成有所述树脂膜的所述半导体晶圆用切割刀片进行切割而制作单片化的带有树脂膜片的半导体芯片；及树脂膜片去除工序，使所述带有树脂膜片的半导体芯片的树脂膜片中的所述树脂与水反应，并从所述带有树脂膜片的半导体芯片去除所述树脂膜片。

公开(公告)号：CN119096327A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202380036436.3

申请日：2023-10-06

Applicant: 株式会社力森诺科

Inventor： 宫本祐树 ,  崔咳谧 ,  岩永有辉启 ,  和田真幸 ,  坂本圭市 ,  渡部昌仁 ,  近藤秀一 ,  齐藤晃一

IPC: H01L21/301 ,  C08G59/66 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备：树脂膜形成工序，在半导体晶圆上形成包含通过照射光而低分子化的树脂的树脂膜；带有树脂膜片的半导体芯片制作工序，通过将形成有树脂膜的半导体晶圆用切割刀片进行切割而制作单片化的带有树脂膜片的半导体芯片；及树脂膜片去除工序，对带有树脂膜片的半导体芯片的树脂膜片照射光，并从带有树脂膜片的半导体芯片去除树脂膜片。