公开(公告)号：CN116699958A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310567843.9

申请日：2016-04-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉谷友辅 ,  桑原秀明 ,  高濑奈津子

IPC: G04G17/00 ,  G04G17/08 ,  G04B37/08 ,  G04B39/00 ,  G04G19/00 ,  G04G9/00 ,  G04G9/12 ,  G04G17/04 ,  G09G3/36 ,  G04G21/00 ,  G04G21/02 ,  G04G21/06 ,  G04R60/10 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/133

Abstract: 本公开的发明名称是“电子设备”。本发明的一个方式的目的之一是提供一种戴在身上使用的方便性高的电子设备。本发明的一个方式是包括显示面板、蓄电装置、电路及密封体的臂戴式电子设备。显示面板使用从蓄电装置供应的电力进行显示。电路包括天线，以无线方式对蓄电装置进行充电。密封体在其内部包括显示面板、蓄电装置及电路。密封体具有使可见光透过的部分。密封体能够戴在手臂上或者连接于能够戴在手臂上的结构体。

公开(公告)号：CN113341682B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202110607702.6

申请日：2016-04-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉谷友辅 ,  桑原秀明 ,  高濑奈津子

IPC: G04G17/00 ,  G04G17/08 ,  G04G19/00 ,  G04G9/00 ,  G04G17/04 ,  G04G9/12 ,  G09G3/36 ,  G04G21/00 ,  G04G21/06 ,  G04G21/02 ,  G04R60/10

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种戴在身上使用的方便性高的电子设备。本发明的一个方式是包括显示面板、蓄电装置、电路及密封体的臂戴式电子设备。显示面板使用从蓄电装置供应的电力进行显示。电路包括天线，以无线方式对蓄电装置进行充电。密封体在其内部包括显示面板、蓄电装置及电路。密封体具有使可见光透过的部分。密封体能够戴在手臂上或者连接于能够戴在手臂上的结构体。

公开(公告)号：CN103730513B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201410008748.6

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种电子器件、半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN105185817A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510670490.0

申请日：2006-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  大沼英人

IPC: H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明揭示一种发光装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

公开(公告)号：CN105097946A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510408060.1

申请日：2010-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  秋元健吾 ,  津吹将志 ,  佐佐木俊成 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L33/0041 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。在使用第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层的叠层的底栅结构的薄膜晶体管中，在与栅极布线层重叠的一部分氧化物半导体层上形成与其接触的用作沟道保护层的氧化物绝缘层，并且在形成该绝缘层的相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的叠层的周缘部(包括侧表面)的氧化物绝缘层。

公开(公告)号：CN102593380B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210063018.7

申请日：2006-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桑原秀明 ,  大沼英人

IPC: H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L33/36 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/52 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，其目的在于解决如下问题：由于随着高细致化而带来的像素区域的微细化、随着大面积化而带来的衬底的大型化，由于蒸发沉积时所使用的掩模的精度和挠曲等的原因而产生不良。本发明的技术要点如下：通过使用设置有由衍射光栅图形或半透膜构成的具有光强度降低功能的辅助图案的光掩模或中间掩模，在显示区域的像素电极(也被称为第一电极)上、以及像素电极层周边，形成具有膜厚不同的部分的隔离壁，而不增加工序。

公开(公告)号：CN102576732B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201080019588.5

申请日：2010-06-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  三宅博之 ,  桑原秀明 ,  高桥辰也

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78645

Abstract: 半导体装置的孔径比得到提高。驱动器电路和像素在一个衬底之上提供，并且驱动器电路中的第一薄膜晶体管和像素中的第二薄膜晶体管每个都包括栅极电极层、栅极电极层之上的栅极绝缘层、栅极绝缘层之上的氧化物半导体层、氧化物半导体层之上的源极和漏极电极层及与栅极绝缘层之上的氧化物半导体层的一部分、氧化物半导体层和源极和漏极电极层接触的氧化物绝缘层。第二薄膜晶体管的栅极电极层、栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层及氧化物绝缘层每个都具有透光属性。

公开(公告)号：CN101442059B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200810187081.5

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN101369541B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN200810210498.9

申请日：2008-08-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  鸟海聪志 ,  古野诚 ,  神保安弘 ,  大力浩二 ,  桑原秀明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78678

Abstract: 本发明的目的在于提供一种质量良好的微晶半导体膜的制造方法。本发明的技术要点如下：在栅电极上形成栅极绝缘膜之后，为了提高在成膜初期中形成的微晶半导体膜的品质，在成膜速度低而品质良好的第一成膜条件下形成栅极绝缘膜界面附近的膜，然后，在成膜速度高的第二成膜条件下堆积膜。再者，接触微晶半导体膜上地对缓冲层进行层叠。另外，在第一成膜条件之前，进行氩等离子体处理等的稀有气体等离子体处理及氢等离子体处理，以去除衬底上的吸附水。

公开(公告)号：CN102830554A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210348217.2

申请日：2004-01-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  桑原秀明

IPC: G02F1/1341 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F1/133351 ,  G02F2001/13415 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明是液晶显示器件及其制作方法。随着显示屏幕尺寸的不断加大，人们对实现高清晰度、高孔径效率、和高可靠性有了更强烈的需求。与此同时，对生产率的提高以及成本的降低的要求也更进一步提高。本发明通过喷墨法在大尺寸衬底110上提供的像素电极121上，也就是只在像素部分上喷射(或滴注)液晶材料，然后，粘合对面衬底于其上。另外，也可以在对面衬底上将密封材料的涂画和液晶的滴注双方都执行。通过用喷墨法形成液晶层，可以减少在制作过程中液晶的总体使用量。