公开(公告)号：JP6235077B2

公开(公告)日：2017-11-22

申请号：JP2016123144

申请日：2016-06-22

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G09G3/3622 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G09G2300/0426

公开(公告)号：JP6180192B2

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：JP2013113621

申请日：2013-05-30

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 岩城 裕司 ,  今藤 敏和

IPC: G06F12/10 ,  G06F12/08

CPC classification number: G06F12/1063 ,  G06F1/32 ,  G06F1/3225 ,  G06F1/3275 ,  G06F12/0862 ,  G06F12/1036 ,  G06F12/109 ,  G06F2212/1028 ,  G06F2212/2024 ,  Y02B60/1225 ,  Y02B60/1228 ,  Y02D10/13 ,  Y02D10/14

公开(公告)号：JP2015072487A

公开(公告)日：2015-04-16

申请号：JP2014235613

申请日：2014-11-20

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295

Abstract: 【課題】液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。 【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトラン ジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体(ドナー)となる不純物( 水素又は水など)を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。 これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流(オフ電流)を少なくすること ができる。そのため、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を 保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容 量配線を削除することが可能になる。そのため、信号線と容量配線が立体交差する領域に おける寄生容量を削除することが可能になる。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：减少液晶显示装置中包括的信号线的寄生电容。解决方案：使用包括氧化物半导体层的晶体管作为为每个像素提供的晶体管。 氧化物半导体层是通过充分去除用作电子给体（供体）的杂质（例如氢或水）而高度纯化的氧化物半导体层。 这就降低了处于截止状态的晶体管的漏电流（截止电流）。 因此，可以保持施加到液晶元件的电压而不在每个像素中提供电容元件，并且除此之外，可以删除在液晶显示装置的像素部分上延伸的电容布线的数量。 因此，可以删除信号线和电容布线三维交叉的区域中的寄生电容。

公开(公告)号：JP2022002319A

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：JP2021145535

申请日：2021-09-07

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  岸田 英幸

IPC: G09F9/30 ,  H01L29/786

Abstract: 【課題】ソース電極層及びドレイン電極層と、酸化物半導体層との接合をオーミック接合 とした半導体装置の作製方法。 【解決手段】酸化物半導体膜を熱処理する工程を有し、熱処理の工程後、酸化物半導体膜 と、ソース電極層との間には、酸化物半導体膜より酸素の濃度が低い第1の領域が形成さ れ、かつ酸化物半導体膜と、ドレイン電極層との間には、酸化物半導体膜より酸素の濃度 が低い第2の領域が形成される。第1の領域及び第2の領域は酸化物半導体膜より酸素濃 度が低いため、抵抗が低くオーミック接合とすることができる。 【選択図】なし

公开(公告)号：JP2019191599A

公开(公告)日：2019-10-31

申请号：JP2019109395

申请日：2019-06-12

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  G02F1/1368

Abstract: 【課題】液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。 【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトラン ジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体(ドナー)となる不純物( 水素又は水など)を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。 これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流(オフ電流)を少なくすること ができる。そのため、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を 保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容 量配線を削除することが可能になる。そのため、信号線と容量配線が立体交差する領域に おける寄生容量を削除することが可能になる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6542326B2

公开(公告)日：2019-07-10

申请号：JP2017205720

申请日：2017-10-25

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: G02F1/1368

公开(公告)号：JP5713610B2

公开(公告)日：2015-05-07

申请号：JP2010199855

申请日：2010-09-07

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 梅崎 敦司 ,  今藤 敏和

IPC: G09G3/20 ,  G02F1/167 ,  G09G3/34

CPC classification number: G09G3/344 ,  G09G2300/08 ,  G09G2310/06

公开(公告)号：JP2018081322A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2017250539

申请日：2017-12-27

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  岸田 英幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/167 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 【課題】薄膜トランジスタのオフ電流の増加、又はしきい値電圧のマイナスシフトを予防する半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、トランジスタ751と、容量素子752と、発光素子とを有し、トランジスタは、第1の導電層701と、第1の導電層上の、第1の絶縁層702と、第1の絶縁層上の、酸化物半導体層703と、酸化物半導体層と電気的に接続された、第2の導電層707a,707bと、を有し、第1の導電層は、酸化物半導体層と重なる領域において、ゲート電極として機能し、第2の導電層は、ソース電極又はドレイン電極として機能し、第1の導電層は、第1の絶縁層の開口部710bを介して、第3の導電層711と電気的に接続する。 【選択図】図8

公开(公告)号：JP6271673B2

公开(公告)日：2018-01-31

申请号：JP2016197729

申请日：2016-10-06

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  岸田 英幸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78663 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

公开(公告)号：JP2016167103A

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：JP2016123144

申请日：2016-06-22

Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

Inventor： 今藤 敏和 ,  小山 潤 ,  山崎 舜平

IPC: G02F1/1368

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L29/45 ,  G02F2001/13606 ,  G02F2001/136295

Abstract: 【課題】液晶表示装置が有する信号線の寄生容量を低減すること。 【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体層を具備するトラン ジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層は、電子供与体(ドナー)となる不純物( 水素又は水など)を徹底的に除去することにより高純度化された酸化物半導体層である。 これにより、トランジスタがオフ状態のときのリーク電流(オフ電流)を少なくすること ができる。そのため、各画素において容量素子を設けずとも液晶素子に印加される電圧を 保持することが可能になる。また、これに付随して、液晶表示装置の画素部に延在する容 量配線を削除することが可能になる。そのため、信号線と容量配線が立体交差する領域に おける寄生容量を削除することが可能になる。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了减少液晶显示装置中的信号线的寄生电容。解决方案：将包括氧化物半导体层的晶体管用作布置在每个像素中的晶体管。 通过彻底除去成为电子给体的杂质（氢，水等），高度纯化氧化物半导体层。 以这种方式，可以减少当晶体管截止时发生的漏电流（截止电流）。 因此，可以保持施加到液晶元件的电压，而不在每个像素中布置任何电容元件。 与此相关联，可以消除延伸到液晶显示装置的像素部分的电容布线。 因此，可以删除信号线和电容布线三维交叉的区域中的寄生电容。图示：图1