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    充電制御システム、及び充電制御方法、及び電子機器
    2.
    发明专利
    充電制御システム、及び充電制御方法、及び電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018229597A1

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：JPIB2018054029

    申请日：2018-06-06

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 田島 亮太 ,  豊高 耕平 ,  伊佐 敏行 ,  宍戸 英明

    IPC: H02J7/00 ,  H01M10/48 ,  H01M10/44 ,  G01R31/392 ,  H02J7/02

    Abstract: 二次電池は劣化すると内部抵抗が増大するため、劣化した二次電池は、充電時は端子電圧が大きく、放電時は端子電圧が小さくなり、劣化していない二次電池の端子電圧と差が生じる。第1のニューラルネットワークを用いて複数の二次電池の劣化の程度及び推測値を算出し、劣化が大きい二次電池は充電レートを遅くして満充電状態にさせず、劣化の小さい二次電池は充電レートを早くして満充電状態にさせることで、劣化の程度のバラツキを低減する。劣化の度合いの大きい二次電池は、満充電状態にならないように充電終止電圧を低めに設定し、その充電条件の選別は、第2のニューラルネットワークを用いた演算に基づいて行う。

    情報処理装置、表示装置および電子機器
    3.
    发明专利
    情報処理装置、表示装置および電子機器 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2018078487A1

    公开(公告)日：2019-09-05

    申请号：JPIB2017056459

    申请日：2017-10-18

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 伊佐 敏行 ,  遠藤 秋男 ,  塚本 洋介 ,  小山 潤

    IPC: G06F3/041 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L51/50 ,  H05B33/06 ,  G06F1/16

    Abstract: 大きな表示領域を有し、可搬性を向上させた電子機器を提供する。また信頼性を向上させた電子機器を提供する。第1のフィルムと、パネル基板と、少なくとも第1の筐体と、を有する情報処理装置である。パネル基板は、可撓性および表示領域を備え、第1のフィルムは、可視光に対する透過性および可撓性を備える。第1の筐体は、第1のスリットを有し、パネル基板は、第1のフィルムおよび第2のフィルムの間に挟まれる領域を備え、第1のスリットは、この領域を収納する機能を備え、パネル基板、第1のフィルムの何れか一または両方は、第1のスリットに沿って摺動可能である。

    蓄電システム、電子機器及び車両、並びに推定方法
    6.
    发明专利
    蓄電システム、電子機器及び車両、並びに推定方法 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2019021099A1

    公开(公告)日：2020-08-06

    申请号：JPIB2018055177

    申请日：2018-07-13

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 長多 剛 ,  千田 章裕 ,  伊佐 敏行 ,  栗城 和貴

    IPC: H01M10/48 ,  H02J7/00 ,  G01R31/389 ,  G01R31/382 ,  G01R31/385 ,  G01R31/387 ,  G01R31/367 ,  H01M10/44

    Abstract: 優れた特性を有する蓄電システムを提供する。安全性の高い蓄電システムを提供する。劣化の小さい蓄電システムを提供する。優れた特性を有する蓄電池を提供する。蓄電池と、インピーダンスを測定する機能を有する第1の回路と、ニューラルネットワークと、を有し、蓄電池の充電または放電を停止する第1のステップと、蓄電池の開回路電圧を測定する第2のステップと、蓄電池のインピーダンスを測定する第3のステップと、測定された開回路電圧とインピーダンスが入力層に入力される第4のステップと、出力層から第1の信号が出力される第5のステップと、第1の信号に応じて、蓄電池の充電または放電の条件を変更する第6のステップと、蓄電池の充電または放電を開始する第7のステップと、を有し、第1の信号は、蓄電池の放電容量の推測値に対応する蓄電システムの動作方法である。

    表示装置
    8.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019040215A

    公开(公告)日：2019-03-14

    申请号：JP2018227458

    申请日：2018-12-04

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 宮入 秀和 ,  小森 茂樹 ,  伊佐 敏行 ,  梅崎 敦司

    IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  G09F9/30

    Abstract: 【課題】EL表示装置に搭載する薄膜トランジスタの作製工程を簡略化する。 【解決手段】第1の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第2の導電膜 とを積層し、この上に第1のレジストマスクを形成し、第1のエッチングを行って薄膜積 層体を形成し、該薄膜積層体に対してサイドエッチングを伴う第2のエッチングを行って ゲート電極層を形成し、第2のレジストマスクを用いてソース電極及びドレイン電極層等 を形成することで、薄膜トランジスタを形成し、該薄膜トランジスタを用いてEL表示装 置を作製する。 【選択図】図6

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