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公开(公告)号：JP2022002320A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021145866
申请日：2021-09-08
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/363 , H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/42 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020047935A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2019218069
申请日：2019-12-02
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L51/50 , H05B33/22 , H05B33/14 , G09F9/30 , C23C16/42 , C23C16/30 , H01L21/336
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性変動を抑制した半導体装置 、又は信頼性を向上させた半導体装置を提供する。 【解決手段】チャネル形成領域を構成する酸化物半導体膜を有する半導体装置において、 当該酸化物半導体膜上に水の侵入を抑制し、少なくとも窒素を含む絶縁膜と、当該絶縁膜 から放出される窒素の侵入を抑制する絶縁膜と、を設けることである。なお、酸化物半導 体膜に侵入する水としては、大気に含まれる水、又は当該水の侵入を抑制する絶縁膜上に 設けられた膜などに含まれる水などがある。また、水の侵入を抑制する絶縁膜としては、 加熱による水素分子の放出量が5.0×10 21 分子/cm 3 未満である窒化絶縁膜を用 いることができる。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6516811B2
公开(公告)日：2019-05-22
申请号：JP2017176316
申请日：2017-09-14
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L51/50 , H01L27/146 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP6360223B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2017074985
申请日：2017-04-05
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869
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公开(公告)号：JP6356303B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2017078076
申请日：2017-04-11
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：JP6128775B2
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：JP2012177276
申请日：2012-08-09
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/318 , H01L21/316 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/10 , G02F1/1368 , G02F1/1345 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869 , H01L29/78693
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公开(公告)号：JP6059566B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2013051674
申请日：2013-03-14
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/316 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H05B33/14 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/02565 , H01L21/47573 , H01L27/1225 , H01L27/1259 , H01L29/7869 , H01L29/78696
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公开(公告)号：JP2021122051A
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：JP2021074867
申请日：2021-04-27
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/283 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336
Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、酸素欠損の含有量を低減する。また 、酸化物半導体を用いた半導体装置において、電気特性を向上させる。 【解決手段】基板上に形成されるゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、ゲー ト絶縁膜を介してゲート電極と重なる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜に接する一対の 電極とを有するトランジスタ上に、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜、及び一対の電極を覆 う第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜を有し、第1の絶縁膜は、25℃ において0.5重量%のフッ酸に対する第1の絶縁膜のエッチング速度が10nm/分以 下であり、且つ第2の絶縁膜より遅いことを特徴とする。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021016008A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：JP2020193050
申请日：2020-11-20
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L27/146 , H01L29/786
Abstract: 【課題】静電破壊による歩留まりの低下を防ぎ、信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】ゲート電極層と、ゲート電極層上の第1のゲート絶縁層と、第1のゲート絶 縁層上に設けられ、第1のゲート絶縁層よりも膜厚の小さい第2のゲート絶縁層と、第2 のゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層 及びドレイン電極層と、を有し、第1のゲート絶縁層は、電子スピン共鳴法において、g 値が2.003に現れる信号に対応するスピン密度が1×10 17 spins/cm 3 以 下である窒素を含むシリコン膜であり、第2のゲート絶縁層は、第1のゲート絶縁層より も含有水素濃度の低い窒素を含むシリコン膜である半導体装置を提供する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6700356B2
公开(公告)日：2020-05-27
申请号：JP2018176852
申请日：2018-09-21
Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC: H01L21/336 , H01L27/146 , H01L29/786
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