公开(公告)号：CN100477252C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610110856.X

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社大宇电子

Inventor： 柳在勳

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3283 ,  H01L27/329 ,  H01L51/56

Abstract: 有机电致发光器件包括基片；沿一个方向布置在基片上的发光部分上的第一电极；以栅格形式形成在第一电极与基片之间以便限定第一电极上的多个像素开口的绝缘层图形；形成在绝缘层图形上的隔离层，该隔离层与第一电极垂直交叉；形成在像素开口上的有机薄膜层；与第一电极垂直地形成在有机薄膜层上的第二电极；形成在基片的衬垫部分上与第一电极相连的第一总线电极图形；形成在基片的衬垫部分上与第二电极相连并包含构成第二电极的材料的第二总线电极图形；和形成在第二总线电极图形之间的阻挡膜。

公开(公告)号：CN1897296A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610110856.X

申请日：2006-08-15

Applicant: 株式会社大宇电子

Inventor： 柳在勳

IPC: H01L27/32 ,  H01L23/522 ,  H01L21/82 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/3283 ,  H01L27/329 ,  H01L51/56

Abstract: 有机电致发光器件包括基片；沿一个方向布置在基片上的发光部分上的第一电极；以栅格形式形成在第一电极与基片之间以便限定第一电极上的多个像素开口的绝缘层图形；形成在绝缘层图形上的隔离层，该隔离层与第一电极垂直交叉；形成在像素开口上的有机薄膜层；与第一电极垂直地形成在有机薄膜层上的第二电极；形成在基片的衬垫部分上与第一电极相连的第一总线电极图形；形成在基片的衬垫部分上与第二电极相连并包含构成第二电极的材料的第二总线电极图形；和形成在第二总线电极图形之间的阻挡膜。