公开(公告)号：CN117836907A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202280053263.1

申请日：2022-07-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳 ,  山口佑

IPC: H01L21/304

Abstract: 本发明的基板处理方法中，对具有含复数个构造物(23)的图案(PT)的基板(W)进行处理。基板处理方法包括悬浮液供给步骤(S3)、纯水排除步骤(S4)与粒子升华步骤(S5)。悬浮液供给步骤(S3)中，通过将混合存在纯水(251)与复数个升华性粒子(252)的悬浮液(25)供给至基板(W)的上表面，于基板(W)的上表面形成悬浮液(25)的液膜(26)。纯水排除步骤(S4)中，以在彼此相邻的构造物(23)与构造物(23)之间残留升华性粒子(252)的方式，从基板(W)的上表面排除纯水(251)。粒子升华步骤(S5)中，使残留于构造物(23)与构造物(23)间的升华性粒子(252)升华。

公开(公告)号：CN108666236A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810168940.X

申请日：2018-02-28

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68764

Abstract: 本发明涉及一种基板处理装置、基板处理方法以及紫外线照射单元的选择方法，基板处理装置能够在形成于基板的表面的微细结构物的间隙中使紫外线在更大的范围内产生作用，来分解有机物。基板处理装置(10)具有基板保持单元(1)、多个紫外线照射单元(2)以及控制单元(7)。基板保持单元(1)保持基板(W1)。多个紫外线照射单元(2)以彼此不同的光谱向被基板保持单元(1)保持并且形成有多个微细结构物的基板(W1)的该微细结构物之间的间隙照射紫外线。控制单元(7)控制多个紫外线照射单元(2)。

公开(公告)号：CN109545654B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810993366.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳 ,  大跡明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。通过将疏水剂的液体供给至基板(W)的表面而形成覆盖基板(W)的整个表面的疏水剂的液膜。之后，将表面张力低于水的第1有机溶剂的液体供给至由疏水剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第1有机溶剂的液体来置换基板(W)上的疏水剂的液体。之后，将表面张力低于第1有机溶剂的第2有机溶剂的液体供给至由第1有机溶剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第2有机溶剂的液体来置换基板(W)上的第1有机溶剂的液体。之后，使附着着第2有机溶剂的液体的基板(W)干燥。

公开(公告)号：CN111316402A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072183.4

申请日：2018-10-30

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 通过将溶剂阀关闭，而将通过了溶剂阀的IPA中的最先通过溶剂阀的IPA以外的IPA保持于前端流路内。通过开启溶剂阀，而利用通过了溶剂阀的IPA将预先保持于前端流路内的IPA向下游推送，由此使喷出口仅将该IPA朝向基板喷出。通过关闭溶剂阀，而将此时通过了溶剂阀的IPA全部保持于前端流路内。

公开(公告)号：CN108987306A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810541443.X

申请日：2018-05-30

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳 ,  江本哲也 ,  大迹明 ,  中野佑太 ,  中野哲平 ,  秋山刚志 ,  土桥裕也 ,  田村零央 ,  永德笃郎 ,  岩田智巳

IPC: H01L21/67 ,  B08B3/02

CPC classification number: B05D1/005 ,  B05B1/30 ,  B08B3/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其中，包括：冲洗液供给工序，向基板的主面供给含有水的冲洗液；旋转工序，使基板以通过基板的主面的中央部的旋转轴线为中心旋转；以及疏水剂供给工序，在进行所述冲洗液供给工序后，与所述旋转工序并行执行，向所述基板的主面供给疏水剂以将由基板的主面保持的液体置换为含有第一溶剂的疏水剂。所述疏水剂供给工序包括疏水剂喷出工序，在所述疏水剂喷出工序中，从喷嘴的喷出口以所述喷出口处的雷诺数为1500以下的方式向由基板保持单元保持的基板的主面喷出疏水剂的连续流。

公开(公告)号：CN108260266A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711420309.6

申请日：2017-12-25

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳 ,  阿野诚士

IPC: H05F3/00

Abstract: 本发明提供一种除静电装置，能够根据基板主面的各区域适当地降低基板主面上积累的电荷的量。除静电装置(10)对带静电基板(W1)进行降低带静电量的处理。除静电装置(10)具有基板保持机构(1)和紫外线照射机构(2)。基板保持机构(1)保持基板(W1)。紫外线照射机构(2)能够以对基板(W1)的主面进行划分而成的多个区域互不相同的照射量对基板的主面照射紫外线。

公开(公告)号：CN111316402B

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN201880072183.4

申请日：2018-10-30

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

Abstract: 通过将溶剂阀关闭，而将通过了溶剂阀的IPA中的最先通过溶剂阀的IPA以外的IPA保持于前端流路内。通过开启溶剂阀，而利用通过了溶剂阀的IPA将预先保持于前端流路内的IPA向下游推送，由此使喷出口仅将该IPA朝向基板喷出。通过关闭溶剂阀，而将此时通过了溶剂阀的IPA全部保持于前端流路内。

公开(公告)号：CN117080053A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311050772.1

申请日：2018-08-29

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳 ,  大跡明

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置。通过将疏水剂的液体供给至基板(W)的表面而形成覆盖基板(W)的整个表面的疏水剂的液膜。之后，将表面张力低于水的第1有机溶剂的液体供给至由疏水剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第1有机溶剂的液体来置换基板(W)上的疏水剂的液体。之后，将表面张力低于第1有机溶剂的第2有机溶剂的液体供给至由第1有机溶剂的液膜覆盖着的基板(W)的表面，由此以第2有机溶剂的液体来置换基板(W)上的第1有机溶剂的液体。之后，使附着着第2有机溶剂的液体的基板(W)干燥。

公开(公告)号：CN117015848A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202280020901.X

申请日：2022-01-17

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳

IPC: H01L21/308

Abstract: 一种基板处理方法，对基板进行处理，该基板具有包含形成凹部的凹部形成面的主面，且在上述凹部内形成了被去除层。上述基板处理方法包含：蚀刻步骤，将含有蚀刻离子的蚀刻液供给至上述基板的主面，对上述被去除层进行蚀刻；浓缩步骤，将上述基板的主面上的上述蚀刻液进行浓缩；亲水化步骤，将通过上述蚀刻液的浓缩而露出的上述凹部形成面进行亲水化；离子扩散步骤，在上述亲水化步骤后，通过对上述基板的主面供给冲洗液，使上述蚀刻离子扩散至上述冲洗液中；以及，冲洗液去除步骤，从上述基板的主面去除上述冲洗液。

公开(公告)号：CN114823413A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111588425.5

申请日：2021-12-23

Applicant: 株式会社斯库林集团

Inventor： 田中孝佳

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、以及基板处理方法。基板处理装置具备：利用蚀刻液对基板进行蚀刻的蚀刻处理部；从所述蚀刻处理部排出蚀刻液的排出流路；以及设于所述排出流路的固体二氧化硅单元。所述固体二氧化硅单元包括：多个固体二氧化硅；以及二氧化硅收容部，其收容多个所述固体二氧化硅，且使蚀刻液通过内部。