公开(公告)号：CN103975426B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201280039641.7

申请日：2012-05-30

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 国吉胜俊 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/78 ,  B23K9/164 ,  B23K20/007 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的实施型态提供一种打线装置，具备：使引线接合到各电极的毛细管、设有毛细管的前端插拔的贯通孔的水平板、沿着水平板的上面朝向贯通孔的中心吹出氧化防止气体的第一氧化防止气体流路、沿着水平板的上面朝向贯通孔的中心从与第一氧化防止气体流路交叉的方向吹出氧化防止气体的第二氧化防止气体流路；水平板的未配置各氧化防止气体流路的区域，是以水平板的上面的气体可往水平板的缘的外侧流出的方式开放。藉此，在打线装置抑制金线结球表面的氧化。

公开(公告)号：CN102187443B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200880131625.4

申请日：2008-12-16

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  鄭森介 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在引线焊接方法中，使得初始球接合在焊接点(13)形成压焊球(23)及球颈(25)后，使得毛细管(41)上升，接着，使得毛细管(41)向着与引脚(17)相反方向移动后，使得毛细管(41)下降，用引脚(17)侧的面部(43)压塌球颈(25)。此后，使得毛细管(41)上升，使得毛细管(41)向着引脚(17)移动，直到毛细管(41)的面部(43)来到球颈(25)上方，向着引脚(17)折返引线(21)，此后，使得毛细管(41)下降，用毛细管(41)推压折返在压塌的球颈(25)上的引线侧面，使得毛细管(41)向着引脚(17)朝斜上方移动后，使得毛细管(41)成环，将引线(21)压焊在引脚(17)上接合。由此，使得引线环高度更低。

公开(公告)号：CN102203928B

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN200880131605.7

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  鄭森介 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在引线焊接方法中，包括：第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点(11)，形成压焊球(12)；引线推压工序，多次反复实行使得毛细管大致垂直地上升后、使得毛细管向着第二焊接点(19)方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量的连续动作，在多个位置朝着第二焊接点(19)方向推压引线；第二焊接工序，使得毛细管上升，接着，使得毛细管朝着第二焊接点(19)方向移动，通过将引线压焊在第二焊接点(19)上接合。由此，在第一焊接点和第二焊接点的焊接中，能一边抑制引线强度低下，一边能使得引线环高度更低。

公开(公告)号：CN101802993B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200880108251.4

申请日：2008-03-25

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49426 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/859 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体装置及引线接合方法。在半导体装置中，包括第一层挤压部(100)，第一引线(25)，以及第二引线(26)。第一层挤压部(100)系将初始球焊接在第一层半导体芯片(11)的第一层焊接点(14)上，形成球颈，压碎该球颈，引线折返在该压碎球颈上，使得该引线侧面挤压在上述压碎的球颈上形成。第一引线(25)从第一层挤压部(100)向着引脚(16)方向延伸。第二引线(26)从第二层半导体芯片(12)的第二层焊接点(15)向着第一层挤压部(100)成环，与第一层挤压部(100)的第二层焊接点(15)侧接合。这样，一边减少给与半导体芯片的损伤，一边以少的接合次数进行引线连接。

公开(公告)号：CN102187443A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200880131625.4

申请日：2008-12-16

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  鄭森介 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85148 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在引线焊接方法中，使得初始球接合在焊接点(13)形成压焊球(23)及球颈(25)后，使得毛细管(41)上升，接着，使得毛细管(41)向着与引脚(17)相反方向移动后，使得毛细管(41)下降，用引脚(17)侧的面部(43)压塌球颈(25)。此后，使得毛细管(41)上升，使得毛细管(41)向着引脚(17)移动，直到毛细管(41)的面部(43)来到球颈(25)上方，向着引脚(17)折返引线(21)，此后，使得毛细管(41)下降，用毛细管(41)推压折返在压塌的球颈(25)上的引线侧面，使得毛细管(41)向着引脚(17)朝斜上方移动后，使得毛细管(41)成环，将引线(21)压焊在引脚(17)上接合。由此，使得引线环高度更低。

公开(公告)号：CN101802993A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880108251.4

申请日：2008-03-25

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4846 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49426 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/859 ,  H01L2224/85951 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/4554 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明涉及半导体装置及引线接合方法。在半导体装置中，包括第一层挤压部(100)，第一引线(25)，以及第二引线(26)。第一层挤压部(100)系将初始球焊接在第一层半导体芯片(11)的第一层焊接点(14)上，形成球颈，压碎该球颈，引线折返在该压碎球颈上，使得该引线侧面挤压在上述压碎的球颈上形成。第一引线(25)从第一层挤压部(100)向着引脚(16)方向延伸。第二引线(26)从第二层半导体芯片(12)的第二层焊接点(15)向着第一层挤压部(100)成环，与第一层挤压部(100)的第二层焊接点(15)侧接合。这样，一边减少给与半导体芯片的损伤，一边以少的接合次数进行引线连接。

公开(公告)号：CN102203928A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200880131605.7

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  鄭森介 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/007 ,  B23K2101/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  Y10T29/49124 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 在引线焊接方法中，包括：第一焊接工序，由毛细管使得形成在引线前端的初始球接合在第一焊接点(11)，形成压焊球(12)；引线推压工序，多次反复实行使得毛细管大致垂直地上升后、使得毛细管向着第二焊接点(19)方向朝着斜下方下降比毛细管上升量少的量的连续动作，在多个位置朝着第二焊接点(19)方向推压引线；第二焊接工序，使得毛细管上升，接着，使得毛细管朝着第二焊接点(19)方向移动，通过将引线压焊在第二焊接点(19)上接合。由此，在第一焊接点和第二焊接点的焊接中，能一边抑制引线强度低下，一边能使得引线环高度更低。

公开(公告)号：CN101335252A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810129202.0

申请日：2008-06-20

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 三井竜成 ,  木内逸人

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/85 ,  B23K20/005 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/859 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/4554

Abstract: 本发明涉及半导体装置及引线接合方法。引线(21)焊接在半导体芯片(11)表面的焊接点(13)上后，边从毛细管输送引线(21)，边使得毛细管朝引脚(17)方向以及与引脚(17)相反方向移动，形成使得引线(21)朝与引脚(17)相反方向凸出的第一扭折，朝引脚(17)方向凸出的第二扭折，以及与第二扭折连续的直线部之后，将毛细管闭环处理接合引线(21)和引脚(17)，接合时，使得直线部作为沿引脚(17)表面方向的直线部(31)成形，同时，使得直线部(31)推压引脚(17)表面。在本半导体装置中，能抑制焊接时因超声波励振对其他已焊接完的引线造成损伤。

公开(公告)号：CN103975426A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280039641.7

申请日：2012-05-30

Applicant: 株式会社新川

Inventor： 国吉胜俊 ,  木内逸人

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/78 ,  B23K9/164 ,  B23K20/007 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/781 ,  H01L2224/78268 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 具备：使引线接合到各电极的毛细管(31)、设有毛细管(31)的前端插拔的贯通孔(22)的水平板(21)、沿着水平板(21)的上面(21a)朝向贯通孔(22)的中心(22c)吹出氧化防止气体的第一氧化防止气体流路(12)、沿着水平板(21)的上面(21a)朝向贯通孔(22)的中心(22c)从与第一氧化防止气体流路(12)交叉的方向吹出氧化防止气体的第二氧化防止气体流路(13)；水平板(21)的未配置各氧化防止气体流路(12)、(13)的区域，是以水平板(21)的上面(21a)的气体可往水平板(21)的缘(23)～(25)的外侧流出的方式开放。藉此，在打线装置抑制金线结球表面的氧化。

公开(公告)号：CN302351212S

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201230476357.9

申请日：2012-10-08

Applicant: 株式会社新川

Designer： 国吉勝俊 ,  木内逸人

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置用氧化防止气体供给器。2．本外观设计产品的用途：安装在通过引线连接半导体芯片的电极和基板电极之间的被称为引线焊接机的半导体制造装置的焊接头使用。3．本外观设计的设计要点：本外观设计产品的形状、图案或者其结合。4．最能表明设计要点的图片或者照片：立体图。