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公开(公告)号:CN114303183A
公开(公告)日:2022-04-08
申请号:CN202080059944.X
申请日:2020-07-30
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor: 伊东理
IPC: G09F9/33 , H01L27/15 , H01L25/075 , H01L33/58
Abstract: 本发明的目的在于使显示装置不显眼。显示系统具备基部、以及安装于基部的显示装置(2)。显示装置(2)具备呈矩阵状排列的多个无机发光体(100)、以及表面层(5),该表面层(5)包括:多个透射部(8),其相对于无机发光体(100)设于由无机发光体(100)发出的光的行进方向一侧,以从光的行进方向侧观察与无机发光体(100)重叠的方式呈矩阵状设置,透射来自无机发光体(100)的光;以及阻挡来自无机发光体(100)的光的阻挡部(6)。多个无机发光体(100)分别与设于表面层(5)的多个透射部(8)的每一个重叠设置。
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公开(公告)号:CN113016081A
公开(公告)日:2021-06-22
申请号:CN201980074302.4
申请日:2019-09-10
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 显示装置具有:基板;多个像素,设于基板;发光元件,设于多个像素的每一个;以及无机绝缘层,具有透光性,覆盖发光元件的至少一部分,无机绝缘层包括:侧部,设于发光元件的侧面;以及延伸部,设于侧部的下端侧,在从基板的法线方向俯视时,比侧部更向发光元件的外侧延伸。
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公开(公告)号:CN112956036A
公开(公告)日:2021-06-11
申请号:CN201980071079.8
申请日:2019-08-08
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 显示装置具有基板、设置于基板的多个像素、设置于多个像素的每一个的多个第一发光元件和多个第二发光元件,第一发光元件的发光层包含添加了铕(Eu)的氮化镓(GaN),第二发光元件的发光层是氮化铟镓(InGaN)和氮化镓(GaN)层叠为多层的多重量子阱结构。
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公开(公告)号:CN103576365B
公开(公告)日:2017-06-06
申请号:CN201310332841.8
申请日:2013-08-02
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/13439 , G02F1/13394 , G02F1/134363
Abstract: 一种液晶显示装置,其具有壁结构体,可以抑制低温冲击气泡的发生。另外,还可以防止制造时基板内部的电极等的损伤。该液晶显示装置具有:第一基板、与所述第一基板相对设置的第二基板、设于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层(6)、形成在所述第一基板上的壁结构体(4)、设置在壁结构体(4)的至少侧面的像素电极(8)、以及形成在所述第一基板上的共通电极(5),还具备包含像素电极(8)和共通电极(5)的多个像素(10),其中,在所述第二基板的表面局部地设置有高度高的部分,通过使该高度高的部分与壁结构体(4)接触,使得所述第一基板和所述第二基板接触。
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公开(公告)号:CN103217838B
公开(公告)日:2016-07-13
申请号:CN201310028150.9
申请日:2013-01-17
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133345 , G02F1/133377 , G02F1/1337 , G02F1/133707 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/1368 , G02F2001/134318 , G02F2001/134381 , H01L33/0041
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。在壁电极方式的液晶显示装置中,将壁构造和电极的平面分布最优化,提高成品率。所述液晶显示装置呈矩阵状地配置有多个像素,各像素包括:绝缘体的壁构造,其形成于像素边界;源电极,其由形成在上述像素边界的壁构造的侧面的壁电极、及与该壁电极连续且从壁电极与基板接触的位置开始在平面方向延伸的平面电极构成;第一公共电极,其设置于像素两侧的源电极之间,且隔着绝缘层与上述平面电极有一部分重叠,从而形成保持电容;以及第二公共电极,其设置在上述像素两侧的壁电极之间,在所述液晶显示装置中,将成为相邻两像素的壁电极的边界的狭缝只配置在上述壁构造的顶部。
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公开(公告)号:CN103365003B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201310091672.3
申请日:2013-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133377 , G02F1/133707
Abstract: 一种液晶显示装置,其为具有壁电极的IPS方式的液晶显示装置,抑制畴的发生,提高画面的透射率。具有如下像素构造:沿平面为长方形的像素的长边形成大壁(50),在所述像素的中央形成沿与所述大壁(50)相同的方向延伸的小壁(60),在大壁(50)的壁面形成壁电极(161),在小壁(60)和大壁(50)之间形成平面电极(162),壁电极(161)和平面电极(162)构成像素电极,在所述小壁(60)的表面形成公共电极(14),其中,所述大壁(50)在像素端部具有厚度增大的部分,壁电极(161)具有向所述像素的中央方向弯曲的结构。根据该结构,可以防止像素端部的液晶的逆扭转减少,防止畴的发生,因此,可以提高画面的透射率。
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公开(公告)号:CN103365003A
公开(公告)日:2013-10-23
申请号:CN201310091672.3
申请日:2013-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133377 , G02F1/133707
Abstract: 一种液晶显示装置,其为具有壁电极的IPS方式的液晶显示装置,抑制畴的发生,提高画面的透射率。具有如下像素构造:沿平面为长方形的像素的长边形成大壁(50),在所述像素的中央形成沿与所述大壁(50)相同的方向延伸的小壁(60),在大壁(50)的壁面形成壁电极(161),在小壁(60)和大壁(50)之间形成平面电极(162),壁电极(161)和平面电极(162)构成像素电极,在所述小壁(60)的表面形成公共电极(14),其中,所述大壁(50)在像素端部具有厚度增大的部分,壁电极(161)具有向所述像素的中央方向弯曲的结构。根据该结构,可以防止像素端部的液晶的逆扭转减少,防止畴的发生,因此,可以提高画面的透射率。
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公开(公告)号:CN112956036B
公开(公告)日:2024-06-07
申请号:CN201980071079.8
申请日:2019-08-08
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 显示装置具有基板、设置于基板的多个像素、设置于多个像素的每一个的多个第一发光元件和多个第二发光元件,第一发光元件的发光层包含添加了铕(Eu)的氮化镓(GaN),第二发光元件的发光层是氮化铟镓(InGaN)和氮化镓(GaN)层叠为多层的多重量子阱结构。
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公开(公告)号:CN103513475A
公开(公告)日:2014-01-15
申请号:CN201310254414.2
申请日:2013-06-25
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/134363 , G02F1/133377
Abstract: 一种液晶显示装置,其为壁电极IPS方式,使畴边界稳定。在该液晶显示装置中,像素由沿第一方向延伸的信号配线和沿第二方向延伸的扫描配线包围,第一壁构造的一方具有以第一角度(θ)与第一方向交叉的第一部分、与第一方向相同方向的第二部分、以第二角度(180度-θ)与第一方向交叉的第三部分,在第二部分沿第二壁构造的方向具有第一突起,第二壁构造具有以第一角度(θ)与第一方向交叉的第四部分、与第一方向相同方向的第五部分、以第二角度(180度-θ)与第一方向交叉的第六部分,在第二部分与第一突起的突出方向相同的方向具有第二突起,第一突起与第二壁构造的第五部分的距离比其它部分的第一壁构造与第二壁构造的距离小。
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公开(公告)号:CN103323987A
公开(公告)日:2013-09-25
申请号:CN201310110859.3
申请日:2013-03-21
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1343 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133345 , G02F1/133377 , G02F1/134336
Abstract: 一种壁电极方式的液晶显示装置,抑制在壁状构造的根附近产生的壁电极断线,并抑制由形成间隙时的压力导致的层间绝缘膜的破裂,提高成品率。液晶显示装置呈矩阵状地配置多个像素,各像素在像素边界具有绝缘体的壁状构造,在壁状构造之间具有比壁状构造小的小壁状构造,包括:由在像素边界的壁状构造的侧面形成的壁状电极及与该电极相连的、从壁状电极与基板接触的面开始沿平面方向延伸的平面电极构成的壁电极;由覆盖小壁状构造的TFT侧电极及与该电极相连的、沿基板的平面方向延伸的保持电容电极构成的电极;形成在保持电容电极和平面电极之间的层间绝缘膜,在像素边界的壁状构造的上表面、侧面及根部分未形成由无机膜形成的层间绝缘膜。
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