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公开(公告)号:CN111587453A
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN201880086103.0
申请日:2018-12-04
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/02
Abstract: 本发明的课题为,在使用了聚酰亚胺基板的显示装置中,抑制由基板带电引起的TFT的特性变动。本发明的概要为一种显示装置,在由树脂形成的基板(100)的一面,存在由氧化物半导体(107)形成的第一TFT与由第一多晶硅(102)形成的第二TFT,其特征在于,所述第一TFT与所述第二TFT形成于俯视观察时不同的部位,所述第二TFT与所述第一TFT相比,形成为在剖视观察时更靠近所述基板(100),所述氧化物半导体(107)具有沟道长度与沟道宽度,在所述氧化物半导体(107)与所述基板(100)之间存在第二多晶硅(50),该第二多晶硅(50)由与所述第一多晶硅(102)相同的材料形成,并形成在与形成有所述第一多晶硅(100)的层相同的层之上。
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公开(公告)号:CN115084174A
公开(公告)日:2022-09-20
申请号:CN202210261033.6
申请日:2022-03-16
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/146 , H01L27/32 , A61B5/1172 , A61B5/02
Abstract: 本发明涉及检测装置及显示装置,根据一个实施方式,检测装置具备:基材、传感器层、准直器层、多个透镜和间隔件。所述传感器层包括输出与入射的光对应的感知信号的多个传感器,并配置在所述基材上。所述准直器层包括具有分别与所述多个传感器重叠的多个开口的准直器,并配置在所述传感器层上。所述多个透镜配置在所述准直器层上,分别与所述多个开口重叠。所述间隔件在所述基材、所述传感器层及所述准直器层的层叠方向上比所述多个透镜突出。
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公开(公告)号:CN111587453B
公开(公告)日:2023-04-04
申请号:CN201880086103.0
申请日:2018-12-04
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H10K59/12 , H05B33/02
Abstract: 本发明的课题为,在使用了聚酰亚胺基板的显示装置中,抑制由基板带电引起的TFT的特性变动。本发明的概要为一种显示装置,在由树脂形成的基板(100)的一面,存在由氧化物半导体(107)形成的第一TFT与由第一多晶硅(102)形成的第二TFT,其特征在于,所述第一TFT与所述第二TFT形成于俯视观察时不同的部位,所述第二TFT与所述第一TFT相比,形成为在剖视观察时更靠近所述基板(100),所述氧化物半导体(107)具有沟道长度与沟道宽度,在所述氧化物半导体(107)与所述基板(100)之间存在第二多晶硅(50),该第二多晶硅(50)由与所述第一多晶硅(102)相同的材料形成,并形成在与形成有所述第一多晶硅(100)的层相同的层之上。
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