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公开(公告)号:CN112930551B
公开(公告)日:2024-08-06
申请号:CN201980069943.0
申请日:2019-09-03
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G06T1/00 , A61B5/1172 , G06F3/041 , G06F3/044 , H01L27/146
Abstract: 指纹检测装置具备:基板;设于基板且分别输出与照射来的光对应的信号的多个光电转换元件;与多个光电转换元件分别连接的信号线;经由多个信号线与多个光电转换元件电连接的检测电路;以及对与一个检测电路连接的信号线的数量进行切换的信号线选择电路。
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公开(公告)号:CN113228307B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN201980086448.0
申请日:2019-10-25
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L31/12 , A61B5/02 , A61B5/1455 , G06T1/00 , H01L27/144
Abstract: 检测装置具有:传感器基材;多个光电转换元件,设置于传感器基材的检测区域,并输出与照射在各自上的光相应的信号;多个开关元件,分别设置于多个光电转换元件;多条栅极线,分别连接于多个开关元件,并在第一方向上延伸;第一光源,射出具有第一发光极大波长的第一光;以及第二光源,射出具有第二发光极大波长的第二光。
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公开(公告)号:CN107797350B
公开(公告)日:2021-10-26
申请号:CN201710743610.4
申请日:2017-08-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor: 内田真
IPC: G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种显示装置,一个实施方式的显示装置具备:绝缘基板;像素,其配置于显示区域;扫描线,其在所述显示区域中沿第一方向延伸;信号线,其在所述显示区域中沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸;屏蔽布线,其配置于所述绝缘基板与所述扫描线之间,与所述扫描线相对且沿所述第一方向延伸;像素电极,其配置于所述像素;以及第一开关元件,其包含第一半导体层且配置于所述显示区域。所述第一半导体层配置于所述扫描线与所述屏蔽布线之间、且具有与所述扫描线交叉的交叉区域。所述屏蔽布线在俯视时与所述交叉区域重叠,并且通过接触部而与所述扫描线电连接。
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公开(公告)号:CN113168788B
公开(公告)日:2023-03-10
申请号:CN201980076544.7
申请日:2019-11-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G09F9/00 , G09F9/30 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/146 , A61B5/1172
Abstract: 检测装置具有:绝缘基板;多个光电转换元件,排列在绝缘基板的检测区域,并分别输出与被照射的光相应的信号;第一开关元件,与多个光电转换元件分别对应设置,并包括第一半导体、源极电极和漏极电极;以及无机绝缘层,在绝缘基板的法线方向上设置在光电转换元件与第一开关元件之间。
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公开(公告)号:CN113228307A
公开(公告)日:2021-08-06
申请号:CN201980086448.0
申请日:2019-10-25
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L31/12 , A61B5/02 , A61B5/1455 , G06T1/00 , H01L27/144
Abstract: 检测装置具有:传感器基材;多个光电转换元件,设置于传感器基材的检测区域,并输出与照射在各自上的光相应的信号;多个开关元件,分别设置于多个光电转换元件;多条栅极线,分别连接于多个开关元件,并在第一方向上延伸;第一光源,射出具有第一发光极大波长的第一光;以及第二光源,射出具有第二发光极大波长的第二光。
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公开(公告)号:CN113196504A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN201980083473.3
申请日:2019-11-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
Abstract: 检测装置具有:绝缘基板;多个栅极线,设置于绝缘基板,在第一方向上延伸;多个信号线,设置于绝缘基板,在与第一方向交叉的第二方向上延伸;开关元件,与多个栅极线及多个信号线连接;第一光电转换元件,具有包含非晶态硅的第一半导体层,与开关元件连接;以及第二光电转换元件,具有包含多晶硅的第二半导体层,与开关元件连接。
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公开(公告)号:CN118748896A
公开(公告)日:2024-10-08
申请号:CN202410937658.9
申请日:2020-04-15
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H10K39/00 , H10K39/32 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , G06V40/13 , A61B5/00 , A61B5/1172 , A61B5/0205 , A61B5/1455
Abstract: 检测装置具备光电二极管以及对光电二极管的输出路径进行开闭的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:半导体层,相对于遮光层层叠于光电二极管侧;以及电极层,层叠于半导体层与光电二极管之间,以形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极,源极电极隔着半导体层延伸到与遮光层对置的位置。
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公开(公告)号:CN113711376B
公开(公告)日:2024-07-12
申请号:CN202080028822.4
申请日:2020-04-15
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H10K59/65 , H01L31/10 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L21/336 , A61B5/1171 , A61B5/1172
Abstract: 检测装置具备光电二极管以及对光电二极管的输出路径进行开闭的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:半导体层,相对于遮光层层叠于光电二极管侧;以及电极层,层叠于半导体层与光电二极管之间,以形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极,源极电极隔着半导体层延伸到与遮光层对置的位置。
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公开(公告)号:CN113711376A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202080028822.4
申请日:2020-04-15
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/42 , H01L31/10 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L21/336 , A61B5/1171 , A61B5/1172
Abstract: 检测装置具备光电二极管以及对光电二极管的输出路径进行开闭的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括:半导体层,相对于遮光层层叠于光电二极管侧;以及电极层,层叠于半导体层与光电二极管之间,以形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极,源极电极隔着半导体层延伸到与遮光层对置的位置。
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公开(公告)号:CN113196504B
公开(公告)日:2024-06-04
申请号:CN201980083473.3
申请日:2019-11-05
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L31/10 , H01L27/146
Abstract: 检测装置具有:绝缘基板;多个栅极线,设置于绝缘基板,在第一方向上延伸;多个信号线,设置于绝缘基板,在与第一方向交叉的第二方向上延伸;开关元件,与多个栅极线及多个信号线连接;第一光电转换元件,具有包含非晶态硅的第一半导体层,与开关元件连接;以及第二光电转换元件,具有包含多晶硅的第二半导体层,与开关元件连接。
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