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公开(公告)号：CN86102992A
公开(公告)日：1986-11-05
申请号：CN86102992
申请日：1986-03-28
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: C04B41/5133 , C04B35/18 , C04B41/88 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/4676 , Y10S428/901 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49158 , Y10T29/49165 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/24917 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种密集集成半导体阵列用陶瓷基片，它在热膨胀系数、介电常数、金属化结合强度和机械强度方面极为优越。它由一种烧结体构成，这种烧结体主要包含莫来石晶体和由SiO2、Al2O3、MgO组成的非晶态粘合剂。
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公开(公告)号：CN1005369B
公开(公告)日：1989-10-04
申请号：CN86102992
申请日：1986-03-28
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C04B35/16
CPC classification number: C04B41/5133 , C04B35/18 , C04B41/88 , H01L23/15 , H01L2924/0002 , H05K1/0306 , H05K3/4676 , Y10S428/901 , Y10T29/49126 , Y10T29/49155 , Y10T29/49158 , Y10T29/49165 , Y10T428/24322 , Y10T428/24331 , Y10T428/24917 , Y10T428/31678 , H01L2924/00
Abstract: 提供一种密集集成半导体阵列用陶瓷基片，它在热膨胀系数、介电常数、金属化结合强度和机械强度方面极为优越。它由一种烧结体构成，这种烧结体主要包含莫来石晶体和由SiO2、Al2O3、MgO组成的非晶态助烧结剂。
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公开(公告)号：CN1006356B
公开(公告)日：1990-01-03
申请号：CN87108030
申请日：1987-11-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/246 , H01L21/4857 , H01L23/5383 , H01L2924/0002 , H05K1/092 , H05K3/4629 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及多层莫来石陶瓷基片，更具体地涉及适用于安装诸如各种LSI芯片等小型电子元件的多层莫来石陶瓷基片，其目的在于提供一种在基片各表面上有高接合面可靠性的镀膜层的多层莫来石陶瓷基片和生产该基片的方法，其特征在于，在各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层、用于保护各布线导体或各电子元件的焊接面。利用这种结构，能够避免在各引线端部处镀膜的隆起和基片各表面上出现裂纹。
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公开(公告)号：CN87108030A
公开(公告)日：1988-06-29
申请号：CN87108030
申请日：1987-11-25
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K3/246 , H01L21/4857 , H01L23/5383 , H01L2924/0002 , H05K1/092 , H05K3/4629 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及莫来石陶瓷多层基片，更具体地涉及适用于安装诸如各种LSI芯片等小型电子元件的莫来石陶瓷多层基片，其目的在于提供一种在基片各表面上有高接合面可靠性的镀膜层的莫来石陶瓷多层基片和生产该基片的方法，其特征是，在各布线导体上形成由镍和硼组成的镀膜层、用于保护各布线导体或各电子元件的焊接面。利用这种结构，能够避免在各引线端部处镀膜的隆起和基片各表面上出现裂纹。
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