公开(公告)号：CN118136512A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311424015.6

申请日：2023-10-31

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 山崎真尚 ,  小林稔幸

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种半导体模块的制造方法以及半导体模块，其能够提高安装有接合面宽的半导体芯片的半导体模块的制造中的成品率。第一工序中，在半导体基板(2)上供给将金属粒子与溶剂混合并含有30体积％～60体积％的溶剂的烧结浆料。第二工序中，在第一工序后，在半导体基板(2)上的烧结浆料之上载置半导体芯片(4)。第三工序中，在第二工序后，将半导体芯片(4)以0.01M～1.00Mpa的压力朝向半导体基板(2)侧加压，并且将半导体芯片(4)与半导体基板(2)烧结接合。

公开(公告)号：CN115366529A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210390609.9

申请日：2022-04-14

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 山崎真尚 ,  小林稔幸 ,  池田靖

IPC: B41F15/44 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种能够提高刮板的性能的刮板。刮板(10)具备沿第一方向延伸的延伸部(1)、设置于延伸部(1)的一端的弯折部(2A)、以及设置于延伸部(1)的另一端的弯折部(2B)。

公开(公告)号：CN115366529B

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202210390609.9

申请日：2022-04-14

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 山崎真尚 ,  小林稔幸 ,  池田靖

IPC: B41F15/44 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种能够提高刮板的性能的刮板。刮板(10)具备沿第一方向延伸的延伸部(1)、设置于延伸部(1)的一端的弯折部(2A)、以及设置于延伸部(1)的另一端的弯折部(2B)。

公开(公告)号：CN117577591A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202310443835.3

申请日：2023-04-23

Applicant: 株式会社日立功率半导体

Inventor： 山崎真尚 ,  小林稔幸

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种半导体模块以及半导体模块的制造方法，在利用烧结金属层将半导体元件与缓冲板接合而成的半导体模块中，能够提高半导体元件与缓冲板的接合时(烧结金属层的烧结时)的接合材料中所含的溶剂的排出性，抑制烧结金属层的厚度偏差，进而缓和施加于半导体元件的应力。本发明的半导体模块的特征在于，具备半导体元件(1)、缓冲板(10)以及将半导体元件(1)和缓冲板(10)接合的烧结金属层(2)，缓冲板(10)由多个构件(10a、10b、10c)构成。