公开(公告)号：CN103998984A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280048495.4

申请日：2012-09-13

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 角田和之 ,  小野塚利彦 ,  松井繁 ,  江畠佳定 ,  长谷川昇雄

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/26 ,  G03F1/28 ,  G03F1/30 ,  H01L21/3085

Abstract: 提供一种可提高产品的精度以及缩短制作时间的、利用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。在利用了相移掩模(30)(周期性地配置遮光部和透过部(没有相移的第1透过部、有相移的第2透过部))的衍射光栅的制造方法中，使从照明光源(10)射出的光透过相移掩模(30)，使透过该相移掩模(30)而产生的0次光和+1次光在Si晶片(50)的表面产生干涉，使该Si晶片(50)的表面的光致抗蚀剂(60)曝光，在Si晶片(50)上形成具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。

公开(公告)号：CN103998984B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201280048495.4

申请日：2012-09-13

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 角田和之 ,  小野塚利彦 ,  松井繁 ,  江畠佳定 ,  长谷川昇雄

IPC: G03F1/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3065 ,  G03F1/0046 ,  G03F1/26 ,  G03F1/28 ,  G03F1/30 ,  H01L21/3085

Abstract: 提供一种可提高产品的精度以及缩短制作时间的、利用了相移掩模的非对称图案的形成技术、以及衍射光栅、半导体装置的制造技术。在利用了相移掩模(30)(周期性地配置遮光部和透过部(没有相移的第1透过部、有相移的第2透过部))的衍射光栅的制造方法中，使从照明光源(10)射出的光透过相移掩模(30)，使透过该相移掩模(30)而产生的0次光和+1次光在Si晶片(50)的表面产生干涉，使该Si晶片(50)的表面的光致抗蚀剂(60)曝光，在Si晶片(50)上形成具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。

公开(公告)号：CN103688198A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201280024203.3

申请日：2012-05-17

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 江畠佳定 ,  松井繁 ,  长谷川升雄 ,  角田和之 ,  小野塚利彦

IPC: G02B5/18 ,  G01J3/18 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B5/1857 ,  G01J3/0262 ,  G01J3/18 ,  G01J3/42 ,  G02B5/18 ,  G02B5/1814 ,  G02B5/1861 ,  G03F1/50 ,  G03F1/54 ,  G03F7/0005 ,  H01L21/26

Abstract: 本发明的第一技术的目的：提供一种适合于在分光光度仪中使用的凸部顶角约为90度且能够满足高衍射效率和低杂散光量的衍射光栅的制造技术。针对具有周期构造的开口部的掩模的开口部形状，设定曝光条件进行曝光，形成衍射光栅，使得通过曝光形成的基板上的抗蚀剂的凸部的截面形状是非对称三角形状且该三角形状的长边和短边所成的角度约为90度。第二技术的目的：提供一种能够提高精度和缩短制作时间的衍射光栅的制造技术。将从光源释放的光设为相对于光轴非对称的照明形状，使其透过具备预定的周期图案的掩模，使通过透过上述掩模而产生的0次光和1次光在基板的表面进行干涉，对上述基板表面的感光材料进行曝光，在上述基板上形成上述具有闪耀状的截面形状的衍射光栅。