公开(公告)号：CN100345274C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200410007630.8

申请日：2003-02-27

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 有働竜二郎 ,  荒井雅嗣 ,  角谷匡规

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/302 ,  C25D11/04 ,  B23Q3/154

Abstract: 提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板(6)、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜(4a，4b)以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜(2a、2b)构成。通过分别向导电薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流电压，使该静电吸盘的吸附晶片(7)的面形成为静电双极形式。

公开(公告)号：CN1525546A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN200410007630.8

申请日：2003-02-27

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 在働竜二郎 ,  荒井雅嗣 ,  角谷匡规

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/302 ,  C25D11/04 ,  B23Q3/154

Abstract: 提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板(6)、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜(4a，4b)以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜(2a、2b)构成。通过分别向导电薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流电压，使该静电吸盘的吸附晶片(7)的面形成为静电双极形式。

公开(公告)号：CN106029214B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201580001457.7

申请日：2015-01-30

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 小川芳文 ,  角谷匡规 ,  矶崎真一 ,  布村畅英

IPC: B01J3/02 ,  C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  F15B11/06 ,  F16K51/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/45561 ,  F15B20/008 ,  F16K31/1245 ,  F16K31/128 ,  F16K51/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种具备具有一对气阀的硬件互锁的气体供给单元的真空处理装置。本发明的真空处理装置具备气体供给部，该气体供给部使用常闭型的空气驱动阀来将用于进行真空处理的气体供给到进行所述真空处理的处理室中，该真空处理装置的特征在于，所述气体供给部具有在一对所述空气驱动阀中的一方开启的情况下一对所述空气驱动阀中的另一方关闭的互锁功能，且具备对用于驱动所述空气驱动阀的空气进行控制的空气电路，使用具有与一对所述空气驱动阀分别对应的螺线管的电磁阀来构成所述空气电路。

公开(公告)号：CN106029214A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580001457.7

申请日：2015-01-30

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 小川芳文 ,  角谷匡规 ,  矶崎真一 ,  布村畅英

IPC: B01J3/02 ,  C23C16/455 ,  C23F4/00 ,  F15B11/06 ,  F16K51/02 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67253 ,  C23C16/45561 ,  F15B20/008 ,  F16K31/1245 ,  F16K31/128 ,  F16K51/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种具备具有一对气阀的硬件互锁的气体供给单元的真空处理装置。本发明的真空处理装置具备气体供给部，该气体供给部使用常闭型的空气驱动阀来将用于进行真空处理的气体供给到进行所述真空处理的处理室中，该真空处理装置的特征在于，所述气体供给部具有在一对所述空气驱动阀中的一方开启的情况下一对所述空气驱动阀中的另一方关闭的互锁功能，且具备对用于驱动所述空气驱动阀的空气进行控制的空气电路，使用具有与一对所述空气驱动阀分别对应的螺线管的电磁阀来构成所述空气电路。

公开(公告)号：CN1278389C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN03106729.8

申请日：2003-02-27

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 有働竜二郎 ,  荒井雅嗣 ,  角谷匡规

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板(6)、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜(4a，4b)以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜(2a、2b)构成。通过分别向导电薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流电压，使该静电吸盘的吸附晶片(7)的面形成为静电双极形式。

公开(公告)号：CN1525534A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN03106729.8

申请日：2003-02-27

Applicant: 株式会社日立高新技术

Inventor： 有働竜二郎 ,  荒井雅嗣 ,  角谷匡规

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/68

Abstract: 提供一种具有廉价的、高可靠性的静电吸盘的半导体制造装置。该静电吸盘具有以下特征：由绝缘体基板(6)、在其表面上形成的由铝构成的多个导电薄膜(4a，4b)以及将导电薄膜的表面阳极氧化而形成的钝化铝膜(2a、2b)构成。通过分别向导电薄膜(4a、4b)施加方向相反的直流电压，使该静电吸盘的吸附晶片(7)的面形成为静电双极形式。