Patent search ap:("株式会社村田制作所") AND inv:"上谷昌稔" Page 1

1.

发明公开
半导体器件以及功率放大模块审中-实审

公开(公告)号：CN119582774A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411234000.8

申请日：2024-09-03

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 上谷昌稔 , 播磨史生 , 祐森义明 , 中野裕贵

IPC: H03F1/30 , H03F3/20

Abstract: 本发明实现一种能够扩大工作温度范围的下限值的半导体器件以及功率放大模块。半导体器件具有将在一个方向上排列的多个晶体管并联地电连接的第1半导体元件(1)、以及设置在晶体管的排列方向上的第1半导体元件(1)的两端部的第2半导体元件。环境温度越低，流过第2半导体元件的电流相对地越增加。

Patent Agency Ranking