-
公开(公告)号：CN111668300B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202010115755.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/735 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
-
公开(公告)号：CN118039676A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410033691.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
-
公开(公告)号：CN111916494B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202010376529.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种能够增大迁移电压并扩大SOA的半导体装置。在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。
-
公开(公告)号：CN110610988B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN201910514927.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111668300A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010115755.1
申请日：2020-02-25
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/735 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了半导体装置，能够使迁移电压增大而扩大SOA。在基板上配置有集电极层、基极层、发射极层，在发射极层的一部分的区域上配置有发射极台面层。在俯视时在与发射极台面层不重叠的区域配置有基极电极。基极电极向基极层流过基极电流。在俯视时，发射极台面层的边缘的一部分即第1边缘沿第1方向延伸，基极电极的边缘的一部分即第2边缘与第1边缘对置，发射极台面层的、位于第1方向的一个端部侧的末端部分的第1边缘与第2边缘的间隔比发射极台面层的中间部分的间隔大。
-
公开(公告)号：CN110610988A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910514927.X
申请日：2019-06-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/417 , H01L29/737
Abstract: 本发明提供能够增大过渡电压而将SOA扩大的半导体装置。配置于基板之上的集电极层、基极层、以及发射极层构成双极晶体管。发射极电极与发射极层进行欧姆接触。发射极层具有在俯视观察时在一个方向上较长的形状。发射极层跟发射极电极进行欧姆接触的欧姆接触界面与发射极层间的在发射极层的长边方向上的尺寸差大于发射极层与欧姆接触界面间的在发射极层的宽度方向上的尺寸差。
-
公开(公告)号：CN107483024B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710141157.X
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/19 , H03F3/21 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种在低输出功率及高输出功率时都维持较高的功率附加效率、同时提高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：半导体基板，其具有相对的第一及第二主面；第一双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第一发射极层；以及第二双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第二发射极层、以及从该第二发射极层沿第一主面的法线方向进行层叠的电阻层。
-
公开(公告)号：CN111916494A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010376529.9
申请日：2020-05-07
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L29/737 , H01L29/423 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供一种能够增大迁移电压并扩大SOA的半导体装置。在基板上依次配置有集电极层、基极层、发射极层、以及发射极台面层。还配置有基极电极以及发射极电极。在俯视时，发射极台面层具有在第一方向上长的形状，基极电极包含与发射极台面层在第一方向上隔着间隔配置的基极电极焊盘部。在发射极电极以及基极电极上，分别配置有发射极布线以及基极布线。发射极布线通过发射极接触孔与发射极电极连接。在第一方向上，发射极台面层的基极布线侧的边缘与发射极接触孔的基极布线侧的边缘的间隔比发射极台面层与基极布线的间隔窄。
-
公开(公告)号：CN107483024A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710141157.X
申请日：2017-03-10
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H03F3/19 , H03F3/21 , H01L27/082
Abstract: 本发明提供一种在低输出功率及高输出功率时都维持较高的功率附加效率、同时提高可靠性的半导体装置。半导体装置包括：半导体基板，其具有相对的第一及第二主面；第一双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第一发射极层；以及第二双极晶体管，其形成在半导体基板的第一主面侧，具有第二发射极层、以及从该第二发射极层沿第一主面的法线方向进行层叠的电阻层。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.04 seconds)
