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公开(公告)号:JPWO2019155663A1
公开(公告)日:2021-03-04
申请号:JP2018031559
申请日:2018-08-27
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H03H9/24 , H01L41/053 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/09 , H01L41/187 , H04R17/02 , H04R17/00 , B81B3/00
Abstract: 圧電膜と、当該圧電膜を挟む第1電極及び第2電極と、第2電極の少なくとも一部を覆うように設けられ、第2電極の一部を開口する開口部を有する保護膜と、少なくとも開口部において第2電極と接触し、保護膜の少なくとも一部を覆うように設けられた第3電極と、第3電極と接触する第1コンタクト部を有する第1配線層と、を備える。
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公开(公告)号:JP6923010B2
公开(公告)日:2021-08-18
申请号:JP2019570281
申请日:2018-08-27
Applicant: 株式会社村田製作所
IPC: H03H9/24 , H01L41/053 , H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/09 , H01L41/187 , H04R17/02 , H04R17/00 , B81B3/00
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公开(公告)号:JPWO2019102872A1
公开(公告)日:2020-11-26
申请号:JP2018041673
申请日:2018-11-09
Applicant: 株式会社村田製作所
Abstract: 製品高さの増加を低減しながら、振動空間を真空に保つことが可能な共振装置を提供する。 下部電極と上部電極と、下部電極と上部電極との間に形成された圧電膜と、を有する共振子と、共振子の上部電極に対向して設けられた上蓋と、共振子の下部電極に対向して設けられ、上蓋とともに共振子を封止するように設けられた下蓋と、を有するMEMSデバイスと、上蓋及び下蓋のうちいずれか一方の蓋における共振子を向く側とは反対側の面に実装されたCMOSデバイスと、を備え、CMOSデバイスは、CMOS層と、当該CMOS層における共振子を向く側とは反対側の面に設けられた保護層とを有し、上蓋及び下蓋のうちCMOSデバイスと接合される蓋は、当該CMOSデバイスと共振子とを電気的に接続する貫通電極を有する。
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公开(公告)号:JP6222377B2
公开(公告)日:2017-11-01
申请号:JP2016555105
申请日:2015-07-21
Applicant: 株式会社村田製作所
CPC classification number: H01L33/60 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L25/167 , H01L33/62 , H02H9/045 , H01L29/866 , H01L2933/0066 , H01L33/486
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