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公开(公告)号:CN100341110C
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN03808182.2
申请日:2003-04-11
Applicant: 株式会社爱德万测试
IPC: H01L21/02 , H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/28
CPC classification number: G01R31/318314 , G01R31/31704 , G01R31/31917 , G06F17/5022 , H01L27/118
Abstract: 一种用于LSI的制造过程采用事件测试器以避免原型保持。该LSI制造方法包括如下步骤:在EDA(电子设计自动化)环境下设计LSI,以便产生被设计LSI的设计数据;利用测试台在EDA环境下在LSI设计的器件模型上进行逻辑仿真,并作为逻辑仿真的结果产生事件基测试矢量的测试矢量文件;通过操作事件测试仿真器利用设计数据和测试台检验仿真数据文件;利用设计数据通过制造供应者产生原型LSI;和使用测试矢量文件和仿真数据文件事件测试器测试原型LSI,并将测试结果反馈给EDA环境或制造供应者。
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公开(公告)号:CN1679165A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN03819954.8
申请日:2003-08-20
Applicant: 株式会社爱德万测试
CPC classification number: G01R31/31724 , G01R31/317 , G01R31/31704 , G01R31/31705 , G01R31/3185 , G01R31/318508 , G01R31/318552
Abstract: 一种评估核基SoC的方法,以高精度和可观测性来检测并定位核中或在核之间的互连中的故障。该方法包括步骤:设立两个或多个金属层,以便在每个核的焊盘框架的顶部金属层的表面上生成具有所有I/O焊盘和电源焊盘的核I/O焊盘;通过芯片I/O焊盘向该SoC施加测试矢量,并评估该SoC的响应输出来测试作为整体的SoC;通过核的顶部金属层上的核I/O焊盘向该核施加核特定测试矢量,并评估该核的响应输出来测试该SoC中每个核;以及当测试作为整体的SoC芯片或者当测试每个核而检测到故障时,找出所述故障的位置。
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公开(公告)号:CN1647248A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN03808182.2
申请日:2003-04-11
Applicant: 株式会社爱德万测试
IPC: H01L21/02 , H01L21/822 , H01L27/04 , G01R31/28
CPC classification number: G01R31/318314 , G01R31/31704 , G01R31/31917 , G06F17/5022 , H01L27/118
Abstract: 一种用于LSI的制造过程采用事件测试器以避免原型保持。该LSI制造方法包括如下步骤:在EDA(电子设计自动化)环境下设计LSI,以便产生被设计LSI的设计数据;利用测试台在EDA环境下在LSI设计的器件模型上进行逻辑仿真,并作为逻辑仿真的结果产生事件基测试矢量的测试矢量文件;通过操作事件测试仿真器利用设计数据和测试台检验仿真数据文件;利用设计数据通过制造供应者产生原型LSI;和使用测试矢量文件和仿真数据文件事件测试器测试原型LSI,并将测试结果反馈给EDA环境或制造供应者。
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