公开(公告)号：CN100520414C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480019363.4

申请日：2004-12-14

Applicant: 株式会社爱德万测试

Inventor： 黑鸟文夫 ,  石川贵治 ,  齐藤忠男

IPC: G01R1/067 ,  H01L21/66 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01R1/07371 ,  G01R1/06722 ,  G01R1/06727 ,  G01R1/06738 ,  G01R1/06761

Abstract: 一种触针(50)，与晶片的端子接触，用于对该晶片提供信号，包括：由具有比晶片的端子上形成的氧化膜更高的硬度的第一导电性材料构成的第一导电层(51b)、由具有比所述氧化膜更低的硬度的第二导电性材料构成的第二导电层(51c)、在外侧形成第一导电层(51b)以及第二导电层(51c)的母材(51a)，第一导电层(51b)紧贴第二导电层(51c)的外侧形成，在触针(50)的顶端面(50a)上，第一导电层(51b)以及第二导电层(51c)一起露出。

公开(公告)号：CN1846138A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480019363.4

申请日：2004-12-14

Applicant: 株式会社爱德万测试

Inventor： 黑鸟文夫 ,  石川贵治 ,  齐藤忠男

IPC: G01R1/067 ,  G01R1/073 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01R1/07371 ,  G01R1/06722 ,  G01R1/06727 ,  G01R1/06738 ,  G01R1/06761

Abstract: 一种触针(50)，与晶片的端子接触，用于对该晶片提供信号，包括：由具有比晶片的端子上形成的氧化膜更高的硬度的第一导电性材料构成的第一导电层(51b)、由具有比所述氧化膜更低的硬度的第二导电性材料构成的第二导电层(51c)、在外侧形成第一导电层(51b)以及第二导电层(51c)的母材(51a)，第一导电层(51b)紧贴第二导电层(51c)的外侧形成，在触针(50)的顶端面(50a)上，第一导电层(51b)以及第二导电层(51c)一起露出。