压力传感器及其制造方法和具备该压力传感器的电子部件

    公开(公告)号:CN101566510B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN200910135321.1

    申请日:2009-04-20

    CPC classification number: G01L9/0054 G01L19/0069 G01L19/148

    Abstract: 本发明涉及压力传感器及其制造方法和具备该压力传感器的电子部件,该压力传感器至少具备:半导体基板(11)、在半导体基板(11)的一面(11a)在其中央区域(α)的内部与该一面(11a)大致平行扩展的第一空隙部(12)、位于第一空隙部(12)的一侧被薄板化膜片部(13)、配置在膜片部(13)上的感压元件(14)以及在半导体基板(11)的一面(11a)除膜片部(13)以外的边缘区域(β)中配置的与感压元件(14)电连接的凸块(15),在半导体基板(11)的内部配置在边缘区域(β)的至少一部分中,相对于半导体基板(11)的一面(11a)封闭的第二空隙部(16)。

    压力传感器及其制造方法和具备该压力传感器的电子部件

    公开(公告)号:CN101566510A

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200910135321.1

    申请日:2009-04-20

    CPC classification number: G01L9/0054 G01L19/0069 G01L19/148

    Abstract: 本发明涉及压力传感器及其制造方法和具备该压力传感器的电子部件,该压力传感器至少具备:半导体基板(11)、在半导体基板(11)的一面(11a)在其中央区域(α)的内部与该一面(11a)大致平行扩展的第一空隙部(12)、位于第一空隙部(12)的一侧被薄板化膜片部(13)、配置在膜片部(13)上的感压元件(14)以及在半导体基板(11)的一面(11a)除膜片部(13)以外的边缘区域(β)中配置的与感压元件(14)电连接的凸块(15),在半导体基板(11)的内部配置在边缘区域(β)的至少一部分中,相对于半导体基板(11)的一面(11a)封闭的第二空隙部(16)。

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