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公开(公告)号：CN102741010A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008380.8
申请日：2011-01-31
Applicant: 株式会社藤仓 , 技术研究组合BEANS研究所 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: C03C23/0025 , B23K26/0624 , B23K26/361 , Y10T428/24479
Abstract: 一种表面微细构造的形成方法，该方法包括：第一工序，准备具有加工合适值的基板，以接近于上述基板的上述加工合适值的照射强度、或者以加工合适值以上且烧蚀阈值以下的照射强度，对与上述基板的表面接近的部分照射具有皮秒量级以下的脉冲时间宽度的激光，在上述激光聚光的焦点以及接近于该焦点的区域中以自组织的方式形成周期性地配置第一改性部与第二改性部的周期构造；和第二工序，通过对形成有上述周期构造的上述基板的表面进行蚀刻处理，形成使上述第一改性部为凹部的凹凸构造。
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公开(公告)号：CN102741012A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180008346.0
申请日：2011-01-31
Applicant: 株式会社藤仓 , 技术研究组合BEANS研究所 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K26/0006 , B23K26/384 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/3065 , Y10T428/24
Abstract: 在本发明的微细构造的形成方法中，准备具有加工适合值的基板；对上述基板的内部，以接近于上述基板的上述加工适合值的照射强度，将具有皮秒级以下的脉冲时间宽度的激光在由上述激光的传播方向和与上述激光的偏振方向（电场方向）垂直的方向构成的平面内进行照射；在上述激光聚光的焦点以及离该焦点近的区域形成构造改性部；对上述构造改性部选择性地进行蚀刻处理，形成由微细孔构成的微细构造。
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公开(公告)号：CN102741012B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201180008346.0
申请日：2011-01-31
Applicant: 株式会社藤仓 , 国立大学法人东京大学
CPC classification number: B23K26/0624 , B23K26/0006 , B23K26/384 , B23K26/389 , B23K26/40 , B23K26/53 , B23K26/55 , B23K2103/50 , H01L21/30604 , H01L21/30608 , H01L21/3065 , Y10T428/24
Abstract: 在本发明的微细构造的形成方法中，准备具有加工适合值的基板；对上述基板的内部，以接近于上述基板的上述加工适合值的照射强度，将具有皮秒级以下的脉冲时间宽度的激光在由上述激光的传播方向和与上述激光的偏振方向（电场方向）垂直的方向构成的平面内进行照射；在上述激光聚光的焦点以及离该焦点近的区域形成构造改性部；对上述构造改性部选择性地进行蚀刻处理，形成由微细孔构成的微细构造。
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公开(公告)号：CN102113100A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130243.4
申请日：2009-07-07
Applicant: 株式会社藤仓
IPC: H01L21/3205 , H01L21/302 , H01L21/768 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/76831
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，具备：在半导体基板的一面形成电极的电极形成工序；从所述半导体基板的另一面的与位于所述一面侧的所述电极的位置对应的位置，沿该半导体基板的厚度方向形成贯通孔的贯通孔形成工序；至少在所述贯通孔的内周面及开口部周边、和所述贯通孔的底部分形成第1绝缘层的绝缘层形成工序；对所述第1绝缘层的在所述贯通孔的所述底部分形成的第1部位进行改性，使其成为改性部的改性工序；将所述改性部除去，使所述电极在所述贯通孔内露出的改性部除去工序；以及在所述贯通孔内露出的所述电极上和所述第1绝缘层上形成导电层以便与所述电极电导通的导电层形成工序。
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