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公开(公告)号：CN106301270A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610451279.4
申请日：2016-06-21
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: H03H3/08 , B23K26/0006 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , B23K2103/54 , B23K2103/56 , H03H3/02 , H03H9/02551 , H03H9/058
Abstract: 提供SAW器件的制造方法。对SAW器件晶片晶片具有：结晶基板(13)，其正面(13a)被呈格子状设定的多条分割预定线(15)划分；梳齿状的电极(17)，其形成于由分割预定线划分的正面的各区域；和包覆层(19)，其由树脂形成，对正面的整体进行包覆，该SAW器件的制造方法具有：激光加工槽形成工序，沿着分割预定线在包覆层中形成深度未到达结晶基板的激光加工槽(21)；改质层形成工序，沿着分割预定线形成对结晶基板的内部进行了改质的改质层(25)；和分割工序，对SAW器件晶片施加外力而沿着分割预定线将SAW器件晶片分割成多个SAW器件。(11)进行分割而制造出多个SAW器件，该SAW器件
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公开(公告)号：CN115229361A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210402123.2
申请日：2022-04-18
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/70
Abstract: 本发明提供激光加工装置的调整方法和激光加工装置，适当地校正构成激光照射单元的光学系统的聚光器的像差。该调整方法包含如下工序：空间光调制器调整工序，调整空间光调制器而使激光振荡器射出的激光光线成为能够按照成为期望的位置关系的方式照射多个激光光线的状态；加工痕形成工序，使激光振荡器动作而对卡盘工作台所保持的晶片照射激光光线而形成多个加工痕；拍摄工序，停止激光振荡器的动作，利用照相机拍摄形成于晶片的加工痕；和像差校正工序，将成为调整的基准的期望的位置关系与通过拍摄工序而拍摄的多个加工痕的位置关系进行比较，按照使加工痕的位置关系成为期望的位置关系的方式对空间光调制器进行调整而校正聚光器的像差。
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公开(公告)号：CN102773611B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210144588.9
申请日：2012-05-10
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 阿畠润
IPC: B23K26/38 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的晶片分割方法的特征在于，包括：激光束照射步骤，将相对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部，沿着该分割预定线将该激光束照射到晶片，在晶片内部形成沿着该分割预定线的改质层；粘接带贴附步骤，在实施该激光束照射步骤之前或之后，将具有基材和通过加热而软化的粘接层的粘接带贴附到晶片上；分割步骤，在实施该粘接带贴附步骤之后，通过使该粘接带扩张而在晶片上施加外力，沿着该分割预定线分割晶片，形成多个器件芯片；以及分割屑捕获步骤，对该粘接带进行加热而使该粘接带的该粘接层软化并使该粘接层侵入到在该分割步骤中形成的邻接的器件芯片之间，使通过分割生成的分割屑粘附在该粘接层上。
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公开(公告)号：CN111835313A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010315329.2
申请日：2020-04-21
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 提供SAW滤波器的制造方法和SAW滤波器，控制弹性波的反射。SAW滤波器的制造方法由在正面上设定有分割预定线且在由分割预定线划分的区域内具有包含梳型电极的器件的压电体基板制造SAW滤波器，该SAW滤波器的制造方法具有如下步骤：构造物形成步骤(ST11)，从压电体基板的背面侧照射对于压电体基板具有吸收性的波长的激光束，在压电体基板的背面侧形成具有凹凸的构造物；以及分割步骤(ST12)，在构造物形成步骤(ST11)之后，沿着分割预定线将压电体基板分割。实施方式的SAW滤波器的制造方法中，通过构造物形成步骤(ST11)而形成的具有凹凸的构造物的从凸部的顶点至凹部的底面为止的距离被设定为1μm以上。
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公开(公告)号：CN109391241A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810865015.2
申请日：2018-08-01
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供弹性波器件用基板的制造方法，既能够抑制弹性波器件的成本又能够抑制压电体层的厚度的偏差。弹性波器件用基板的制造方法具有如下的步骤：基板接合步骤(ST1)，将压电体层与支承基板的一个面接合；磨削步骤(ST2)，对压电体层进行磨削；去除量图生成步骤(ST3)，使用光学式厚度测定器来测定压电体层的面内厚度，按面内的坐标计算用于使压电体层的厚度偏差为阈值以下的压电体层的去除量，并生成去除量图；激光加工步骤(ST4)，根据去除量图，照射对于压电体层具有吸收性的波长的脉冲激光束，选择性地去除压电体层；以及研磨步骤(ST5)，使用研磨垫对压电体层的正面进行研磨，维持面内厚度偏差并且形成规定厚度的压电体层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107154456A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710116128.8
申请日：2017-03-01
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 阿畠润
IPC: H01L41/08 , H01L41/335
CPC classification number: H03H9/17 , H03H3/02 , H03H9/175 , H03H9/54 , H03H2003/025 , H01L41/081 , H01L41/335
Abstract: 提供体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法，将制造时对环境的负荷抑制为较低。BAW器件(11)具有基板(13)以及形成在基板的正面(13a)上的压电元件(23)，在基板的背面侧设置有由凹部形成的弹性波扩散区域(31)，该凹部是将基板的背面局部熔融而形成的。
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公开(公告)号：CN106487346A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610739087.3
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 阿畠润
CPC classification number: H03H9/02047 , H03H3/02 , H03H9/0211 , H03H9/0504 , H03H9/09 , H03H9/54
Abstract: 提供体弹性波器件和体弹性波器件的制造方法，将制造时对环境的负荷抑制为较低。BAW器件(11)具有基板(13)以及形成在基板的正面(13a)上的压电元件(23)，在基板的内部设置有对弹性波进行扩散的弹性波扩散区域(31)，该弹性波扩散区域是利用激光光线(L1)对基板进行改质而形成的。
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公开(公告)号：CN102136454B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201010591226.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/0853 , B23K26/702
Abstract: 本发明提供一种晶片分割装置以及激光加工机，该激光加工及装备有该晶片分割装置，该晶片分割装置能够准确、可靠且高效地沿间隔道分割使强度沿间隔道降低了的晶片。该晶片分割装置沿呈格子状地形成的多条间隔道分割晶片，所述晶片粘贴于切割带的上表面并且强度沿着多条间隔道而被降低，其中所述切割带装配于环状框架，该晶片分割装置具备：框架保持构件，其保持环状框架；晶片保持工作台，其具有隔着切割带保持晶片的保持面，所述切割带装配于由框架保持构件所保持的所述环状框架；切割带扩张构件，其使框架保持构件和晶片保持工作台在相对于保持面垂直的方向相对移动，以使切割带扩张；以及振动产生构件，其对晶片保持工作台的保持面施加振动。
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公开(公告)号：CN102773611A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210144588.9
申请日：2012-05-10
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 阿畠润
IPC: B23K26/38 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/0006 , B23K26/032 , B23K26/0622 , B23K26/0853 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/50 , H01L21/78 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明的晶片分割方法的特征在于，包括：激光束照射步骤，将相对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部，沿着该分割预定线将该激光束照射到晶片，在晶片内部形成沿着该分割预定线的改质层；粘接带贴附步骤，在实施该激光束照射步骤之前或之后，将具有基材和通过加热而软化的粘接层的粘接带贴附到晶片上；分割步骤，在实施该粘接带贴附步骤之后，通过使该粘接带扩张而在晶片上施加外力，沿着该分割预定线分割晶片，形成多个器件芯片；以及分割屑捕获步骤，对该粘接带进行加热而使该粘接带的该粘接层软化并使该粘接层侵入到在该分割步骤中形成的邻接的器件芯片之间，使通过分割生成的分割屑粘附在该粘接层上。
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公开(公告)号：CN102136454A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010591226.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社迪思科
CPC classification number: B28D5/0011 , B23K26/0853 , B23K26/702
Abstract: 本发明提供一种晶片分割装置以及激光加工机，该激光加工及装备有该晶片分割装置，该晶片分割装置能够准确、可靠且高效地沿间隔道分割使强度沿间隔道降低了的晶片。该晶片分割装置沿呈格子状地形成的多条间隔道分割晶片，所述晶片粘贴于切割带的上表面并且强度沿着多条间隔道而被降低，其中所述切割带装配于环状框架，该晶片分割装置具备：框架保持构件，其保持环状框架；晶片保持工作台，其具有隔着切割带保持晶片的保持面，所述切割带装配于由框架保持构件所保持的所述环状框架；切割带扩张构件，其使框架保持构件和晶片保持工作台在相对于保持面垂直的方向相对移动，以使切割带扩张；以及振动产生构件，其对晶片保持工作台的保持面施加振动。
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