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公开(公告)号：CN102918110B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180026405.7
申请日：2011-05-23
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: C08L43/04 , C08G77/20 , C08G77/38 , C08K5/5425 , C08K2201/008 , C08L83/00 , C08L83/14 , C08L2201/02 , C08L2201/14 , C08L2203/206 , C08L2205/025 , H01L33/56
Abstract: 本发明的目的在于提供具有高耐热性、耐光性且气体阻隔性优异的聚硅氧烷类组合物，本发明的聚硅氧烷类组合物含有利用具有氢化甲硅烷基的化合物(b)对含链烯基的多面体结构聚硅氧烷类化合物(a)进行改性而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体(A)，以及在一分子内具有两个以上链烯基的有机聚硅氧烷(B)，其中，所述组合物固化后的透湿率为30g/m2/24小时以下，且所述成分(B)的有机聚硅氧烷为含芳基的有机聚硅氧烷(B1)，和/或所述组合物进一步含有在一分子内具有一个链烯基或氢化甲硅烷基的有机硅化合物(C1)或者在一分子内具有一个碳-碳双键的环状烯烃化合物(C2)作为成分(C)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103119048A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201180045637.7
申请日：2011-09-13
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/56 , C07F7/21 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/50 , C08G77/80 , C08K5/34924 , C08K5/56 , C08K2201/008 , C08L83/00 , C08L83/04
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种多面体结构聚硅氧烷系组合物，其具有高耐热性、耐光性，阻气性及耐冷热冲击性优异，并且将光半导体元件进行密封时的处理性良好，本发明的多面体结构聚硅氧烷系组合物的特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物（a）与具有氢硅烷基的化合物（b）进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体，其中，所述多面体结构聚硅氧烷改性体具有来自于1分子中具有1个链烯基的有机硅化合物（a'）的结构。
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公开(公告)号：CN104744944B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201510102503.4
申请日：2011-05-23
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C08L83/07 , C08L83/14 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K3/36 , H01L33/56
CPC classification number: C08L43/04 , C08G77/20 , C08G77/38 , C08K5/5425 , C08K2201/008 , C08L83/00 , C08L83/14 , C08L2201/02 , C08L2201/14 , C08L2203/206 , C08L2205/025 , H01L33/56
Abstract: 本发明的目的在于提供具有高耐热性、耐光性且气体阻隔性优异的聚硅氧烷类组合物，本发明的聚硅氧烷类组合物含有利用具有氢化甲硅烷基的化合物(b)对含链烯基的多面体结构聚硅氧烷类化合物(a)进行改性而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体(A)，以及在一分子内具有两个以上链烯基的有机聚硅氧烷(B)，其中，所述组合物固化后的透湿率为30g/m2/24小时以下，且所述成分(B)的有机聚硅氧烷为含芳基的有机聚硅氧烷(B1)，和/或所述组合物进一步含有在一分子内具有一个链烯基或氢化甲硅烷基的有机硅化合物(C1)或者在一分子内具有一个碳‑碳双键的环状烯烃化合物(C2)作为成分(C)。
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公开(公告)号：CN104744944A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510102503.4
申请日：2011-05-23
Applicant: 株式会社钟化
IPC: C08L83/07 , C08L83/14 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08K3/36 , H01L33/56
CPC classification number: C08L43/04 , C08G77/20 , C08G77/38 , C08K5/5425 , C08K2201/008 , C08L83/00 , C08L83/14 , C08L2201/02 , C08L2201/14 , C08L2203/206 , C08L2205/025 , H01L33/56
Abstract: 本发明的目的在于提供具有高耐热性、耐光性且气体阻隔性优异的聚硅氧烷类组合物，本发明的聚硅氧烷类组合物含有利用具有氢化甲硅烷基的化合物(b)对含链烯基的多面体结构聚硅氧烷类化合物(a)进行改性而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体(A)，以及在一分子内具有两个以上链烯基的有机聚硅氧烷(B)，其中，所述组合物固化后的透湿率为30g/m2/24小时以下，且所述成分(B)的有机聚硅氧烷为含芳基的有机聚硅氧烷(B1)，和/或所述组合物进一步含有在一分子内具有一个链烯基或氢化甲硅烷基的有机硅化合物(C1)或者在一分子内具有一个碳-碳双键的环状烯烃化合物(C2)作为成分(C)。
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公开(公告)号：CN102918110A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026405.7
申请日：2011-05-23
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: C08L43/04 , C08G77/20 , C08G77/38 , C08K5/5425 , C08K2201/008 , C08L83/00 , C08L83/14 , C08L2201/02 , C08L2201/14 , C08L2203/206 , C08L2205/025 , H01L33/56
Abstract: 本发明的目的在于提供具有高耐热性、耐光性且气体阻隔性优异的聚硅氧烷类组合物，本发明的聚硅氧烷类组合物含有利用具有氢化甲硅烷基的化合物(b)对含链烯基的多面体结构聚硅氧烷类化合物(a)进行改性而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体(A)，以及在一分子内具有两个以上链烯基的有机聚硅氧烷(B)，其中，所述组合物固化后的透湿率为30g/m2/24小时以下，且所述成分(B)的有机聚硅氧烷为含芳基的有机聚硅氧烷(B1)，和/或所述组合物进一步含有在一分子内具有一个链烯基或氢化甲硅烷基的有机硅化合物(C1)或者在一分子内具有一个碳-碳双键的环状烯烃化合物(C2)作为成分(C)。
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公开(公告)号：CN103119048B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180045637.7
申请日：2011-09-13
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/56 , C07F7/21 , C08G77/045 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08G77/50 , C08G77/80 , C08K5/34924 , C08K5/56 , C08K2201/008 , C08L83/00 , C08L83/04
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种多面体结构聚硅氧烷系组合物，其具有高耐热性、耐光性，阻气性及耐冷热冲击性优异，并且将光半导体元件进行密封时的处理性良好，本发明的多面体结构聚硅氧烷系组合物的特征在于，其是通过将具有链烯基的多面体结构聚硅氧烷系化合物（a）与具有氢硅烷基的化合物（b）进行氢化硅烷化反应而得到的多面体结构聚硅氧烷改性体，其中，所述多面体结构聚硅氧烷改性体具有来自于1分子中具有1个链烯基的有机硅化合物（a'）的结构。
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