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公开(公告)号：CN103492433B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280018252.6
申请日：2012-02-14
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C09D133/08 , C08F20/10 , C08F20/18 , C08F220/18 , C08F2220/325 , C09D4/00 , C09D4/06 , C09J7/24 , C09J7/385 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J2201/606 , C09J2433/006 , Y10T428/2809 , C08F265/06
Abstract: 本发明涉及一种无溶剂组合物及该无溶剂组合物的制备方法。本发明提供无溶剂组合物，该组合物可有效制备在薄膜制备过程中具有优良加工效能的薄膜，该薄膜厚度无实质偏差，甚至在具有大的厚度下仍如此，或具有优异的耐热性等物理性能的薄膜。此外，本发明的组合物在薄膜制备过程中不会产生污染。而且，本发明防止组合物组分的凝胶化或相分离，从而提供了一种能够制备具有优异的光学透明性等物理性能、优异的耐热性和尺寸稳定性的基材薄膜的组合物。
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公开(公告)号：CN103492433A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280018252.6
申请日：2012-02-14
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C09D133/08 , C08F20/10 , C08F20/18 , C08F220/18 , C08F2220/325 , C09D4/00 , C09D4/06 , C09J7/24 , C09J7/385 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J2201/606 , C09J2433/006 , Y10T428/2809 , C08F265/06
Abstract: 本发明涉及一种无溶剂组合物及该无溶剂组合物的制备方法。本发明提供无溶剂组合物，该组合物可有效制备在薄膜制备过程中具有优良加工效能的薄膜，该薄膜厚度无实质偏差，甚至在具有大的厚度下仍如此，或具有优异的耐热性等物理性能的薄膜。此外，本发明的组合物在薄膜制备过程中不会产生污染。而且，本发明防止组合物组分的凝胶化或相分离，从而提供了一种能够制备具有优异的光学透明性等物理性能、优异的耐热性和尺寸稳定性的基材薄膜的组合物。
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公开(公告)号：CN103492466B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280018385.3
申请日：2012-02-14
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01L21/78 , B29C39/006 , C08F8/10 , C08F20/18 , C08G18/6229 , C08G18/8116 , C09J7/24 , C09J133/066 , C09J175/16 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2809 , C08F2220/1858 , C08F2220/1875 , C08F220/20 , C08F220/36
Abstract: 本发明涉及一种衬底膜及其制造方法。本发明可以提供一种展现优异的耐热性和尺寸稳定性的衬底膜，所述衬底膜具有优异的应力松弛，由此防止由残余应力所导致的晶片破裂，可以抑制由在晶片加工过程中的非均匀压力施加而导致的晶片损坏或飞溅等，并且具有优异的切割性。因此，本发明的衬底膜可以有效地用作各种晶片的加工过程（如切割、背面研磨或拾取）中的加工片。
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公开(公告)号：CN103492466A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280018385.3
申请日：2012-02-14
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01L21/78 , B29C39/006 , C08F8/10 , C08F20/18 , C08G18/6229 , C08G18/8116 , C09J7/24 , C09J133/066 , C09J175/16 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2809 , C08F2220/1858 , C08F2220/1875 , C08F220/20 , C08F220/36
Abstract: 本发明涉及一种衬底膜及其制造方法。本发明可以提供一种展现优异的耐热性和尺寸稳定性的衬底膜，所述衬底膜具有优异的应力松弛，由此防止由残余应力所导致的晶片破裂，可以抑制由在晶片加工过程中的非均匀压力施加而导致的晶片损坏或飞溅等，并且具有优异的切割性。因此，本发明的衬底膜可以有效地用作各种晶片的加工过程（如切割、背面研磨或拾取）中的加工片。
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