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公开(公告)号:CN111164146B
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN201880064036.2
申请日:2018-10-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08L33/14 , C08F220/30 , C08F220/32 , C08F212/14 , C08F230/02 , B32B27/28 , H01L21/027 , H01L21/324
Abstract: 本申请涉及钉扎组合物、包含其的层合体及其生产方法。本申请的钉扎组合物可以赋予包含嵌段共聚物的自组装结构的聚合物膜定向性和定位选择特性。本申请的钉扎组合物表现出优异的反应选择性,由此其可以形成具有高配向程度的垂直层状体结构。此外,本申请的钉扎组合物可以适合于应用于低温过程。
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公开(公告)号:CN110869442B
公开(公告)日:2022-11-22
申请号:CN201880046248.8
申请日:2018-07-16
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本申请涉及中性层组合物。本申请可以提供能够形成可以有效地控制各种嵌段共聚物的取向特性的中性层的中性层组合物。
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公开(公告)号:CN111094370A
公开(公告)日:2020-05-01
申请号:CN201880059350.1
申请日:2018-09-17
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C08F220/30 , C08F212/14 , B32B27/28 , B32B27/08 , B29C71/02
Abstract: 本申请涉及用于制备图案化基底的方法。所述方法可以应用于制造诸如电子装置和集成电路的装置的过程,或者其他应用,例如集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头或有机发光二极管等的制造,并且还可以用于诸如集成电路、比特图案化介质和/或磁存储装置如硬盘驱动器的离散轨道介质的制造用于在表面上构建图案。
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公开(公告)号:CN111295283B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201880070890.X
申请日:2018-11-07
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: B32B27/00 , C08L53/00 , C08F220/00 , C08F218/00 , C08F216/14
Abstract: 本申请涉及层合体。本申请可以在基底上形成高度配向的嵌段共聚物而没有取向缺陷、配位数缺陷、距离缺陷等,从而提供可以有效地应用于生产各种图案化基底的层合体以及用于使用其生产图案化基底的方法。
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公开(公告)号:CN111295283A
公开(公告)日:2020-06-16
申请号:CN201880070890.X
申请日:2018-11-07
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: B32B27/00 , C08L53/00 , C08F220/00 , C08F218/00 , C08F216/14
Abstract: 本申请涉及层合体。本申请可以在基底上形成高度配向的嵌段共聚物而没有取向缺陷、配位数缺陷、距离缺陷等,从而提供可以有效地应用于生产各种图案化基底的层合体以及用于使用其生产图案化基底的方法。
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