公开(公告)号：CN104428874B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380036862.3

申请日：2013-07-10

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金民政 ,  赵显珠 ,  徐周用 ,  李在官 ,  金章淳

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08L2203/206 ,  C09J7/25 ,  C09J2433/006 ,  C09J2475/006 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834

Abstract: 本发明提供一种粘结膜，其特征在于，上述粘结膜包括：基材膜，拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上；以及粘结层，形成于上述基材膜上。并且，本发明提供一种粘结膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：制备包含氨基甲酸乙酯丙烯酸酯低聚物及丙烯酸酯单体的组合物的步骤，使上述组合物固化来形成基材膜的步骤，以及在上述基材膜上形成粘结层的步骤；上述基材膜的拉伸弹性区域(B)与拉伸塑性区域(A)的面积比(B/A)为0.015以下且延伸率为250％以上。

公开(公告)号：CN103906819B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201280053079.3

申请日：2012-10-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金章淳 ,  赵显珠 ,  徐周用

IPC: C09J7/02 ,  C08J5/18 ,  C08J7/04 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C08J7/047 ,  C08J7/18 ,  C08J2375/16 ,  C09J7/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  Y10T428/266 ,  Y10T428/28

Abstract: 本发明涉及一种半导体晶片表面保护用粘结膜，其基材膜的一侧表面形成有粘结层，其特征在于，上述基材膜的拉伸强度为2～10kg/mm2且断裂延伸率为50～200％，上述粘结层的凝胶含量为80％以上。上述晶片保护用粘结膜能够确保切割性及切断性，防止晶片薄膜化引起弯曲及晶片破损的现象，在高温下也不发生溶解等现象，因而晶片研磨时能够提高收率。