使用高效混合式水平反应器的多晶硅制造装置和方法

    公开(公告)号:CN107074561B

    公开(公告)日:2019-04-09

    申请号:CN201580049718.2

    申请日:2015-07-03

    Abstract: 根据本发明,提供一种多晶硅制造装置,其包括:水平反应管,具有源气体供应口、残余气体排出口、反应表面和开口,通过所述源气体供应口供应包括反应气体和还原气体的源气体,反应表面与源气体接触,开口形成在所述水平反应管的底部,用于将通过所述源气体的反应产生的熔融多晶硅排出;以及第一加热设备,用于加热所述水平反应管的所述反应表面,其中,所述水平反应管包括一个或多个反应区域,各个反应区域具有用于沉积多晶硅的第一反应区域和用于将反应副产物转化为所述反应气体的第二反应区域,所述第一反应区域与所述第二反应区域串联连接。此外,还提供了一种使用所述多晶硅制造装置的多晶硅制造方法。

    使用高效混合式水平反应器的多晶硅制造装置和方法

    公开(公告)号:CN107074561A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201580049718.2

    申请日:2015-07-03

    CPC classification number: C01B33/03 B01J12/005 B01J12/007 C01B33/035

    Abstract: 根据本发明,提供一种多晶硅制造装置,其包括:水平反应管,具有源气体供应口、残余气体排出口、反应表面和开口,通过所述源气体供应口供应包括反应气体和还原气体的源气体,反应表面与源气体接触,开口形成在所述水平反应管的底部,用于将通过所述源气体的反应产生的熔融多晶硅排出;以及第一加热设备,用于加热所述水平反应管的所述反应表面,其中,所述水平反应管包括一个或多个反应区域,各个反应区域具有用于沉积多晶硅的第一反应区域和用于将反应副产物转化为所述反应气体的第二反应区域,所述第一反应区域与所述第二反应区域串联连接。此外,还提供了一种使用所述多晶硅制造装置的多晶硅制造方法。

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