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公开(公告)号：CN111868892B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201980019945.9
申请日：2019-06-18
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/3065 , G02B5/18 , H01J37/32 , G03F1/80 , H05H1/46
Abstract: 本申请涉及使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其包括以下步骤：在具有设置在其上表面的网部的法拉第笼中设置用于蚀刻的基板材料；用遮板遮挡网部的至少一部分，然后对用于蚀刻的基板材料进行等离子体蚀刻；以及通过在使遮板沿着从法拉第箱的外部部分到其中心部分的方向移动的同时进行等离子体蚀刻来在用于蚀刻的基板材料上形成图案部分，其中图案部分的深度沿着从用于蚀刻的基板材料的一侧到其另一侧的方向逐渐变化。
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公开(公告)号：CN108139643A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680059467.0
申请日：2016-10-11
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本申请涉及电致变色元件及其制造方法。根据本申请的一个实施方案的用于制造电致变色元件的方法包括以下步骤：在第一基底上形成第一电极，然后在所述第一电极上形成第一电致变色部分；在第二基底上形成第二电极，然后在所述第二电极上形成第二电致变色部分；以及在所述第一电致变色部分与所述第二电致变色部分之间形成电解质层，其中形成第一电致变色部分的步骤通过使用载气的电子束蒸镀进行。
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公开(公告)号：CN111052319B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880054020.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括：将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤；将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤，所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模，所述金属掩模中具有开口；以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中，法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。
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公开(公告)号：CN111052319A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880054020.3
申请日：2018-10-19
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01J37/32
Abstract: 本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括：将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤；将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤，所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模，所述金属掩模中具有开口；以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中，法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111448642B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201880079529.3
申请日：2018-12-14
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/3065 , H01L21/3213 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法包括：在其上表面上设置有网部分的法拉第笼中准备蚀刻基板的步骤，所述基板具有设置在其一个表面上的金属掩模，所述金属掩模具有开口图案部分；通过使用等离子体蚀刻在蚀刻基板上形成第一图案区域的第一图案化步骤；以及在通过使用遮板遮挡网部分的至少一部分之后通过使用等离子体蚀刻在蚀刻基板上形成第二图案区域的第二图案化步骤。
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公开(公告)号：CN108369363B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201780004513.1
申请日：2017-03-08
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: G02F1/153 , G02F1/1523 , G02F1/1506 , C09K9/00
Abstract: 本申请涉及电致变色装置和用于制造电致变色装置的方法。本申请可以提供具有提高的生产率以及改善的电致变色速率和耐久性的电致变色装置以及用于制造电致变色装置的方法。该电致变色装置可以有利地用于各种各样的装置，例如智能窗、智能镜、显示器、电子纸和自适应伪装。
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公开(公告)号：CN111868892A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201980019945.9
申请日：2019-06-18
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H01L21/3065 , G02B5/18 , H01J37/32 , G03F1/80 , H05H1/46
Abstract: 本申请涉及使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其包括以下步骤：在具有设置在其上表面的网部的法拉第笼中设置用于蚀刻的基板材料；用遮板遮挡网部的至少一部分，然后对用于蚀刻的基板材料进行等离子体蚀刻；以及通过在使遮板沿着从法拉第箱的外部部分到其中心部分的方向移动的同时进行等离子体蚀刻来在用于蚀刻的基板材料上形成图案部分，其中图案部分的深度沿着从用于蚀刻的基板材料的一侧到其另一侧的方向逐渐变化。
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公开(公告)号：CN111033117A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052164.5
申请日：2018-08-16
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: F21V8/00
Abstract: 本发明涉及制造用于衍射光栅导光板的模具基板的方法，该方法包括以下步骤：准备在其上表面上设置有薄层电阻为0.5Ω/□或更大的网格部分的法拉第笼；将样品基板设置在法拉第笼的底表面上并在其上进行平面等离子体蚀刻以确定法拉第笼中的高蚀刻区域；准备具有倾斜表面的支撑体并将倾斜表面的下部区域布置在法拉第笼的高蚀刻区域中的支撑体布置步骤；将模具用基板设置在支撑体的倾斜表面上；以及通过使用等离子体蚀刻同时在模具用基板的一侧上形成第一倾斜图案部分并在模具用基板的另一侧上形成第二倾斜图案部分的图案化步骤，其中图案化步骤中的蚀刻速率自倾斜表面的上部区域至下部区域逐渐减小然后反转增大，并且包括第一倾斜图案部分的具有深度梯度的倾斜凹槽图案，以及第二倾斜图案部分包括深度偏差为0nm至50nm的倾斜凹槽图案。
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