公开(公告)号：CN102161570B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN201010219619.3

申请日：2010-07-07

Applicant: 株式会社M-M技术

Inventor： 张承逸

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明涉及上部向下喷射式基板蚀刻装置，更详细地涉及这样的上部向下喷射式基板蚀刻装置，即，涉及为了减薄玻璃基板的厚度而进行蚀刻处理，使喷射蚀刻液的喷射部件或/及层叠有基板的盒子中的至少一个振动而使蚀刻液均匀地喷射在基板上，从而可提高蚀刻的均匀性。

公开(公告)号：CN102863153A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110306816.3

申请日：2011-10-08

Applicant: 株式会社M-M技术

Inventor： 张承逸 ,  崔钟春 ,  李相旭 ,  尹宝崇 ,  李炳弼

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明的玻璃薄形化系统，具备：腔室单元，其具备清洗玻璃的清洗腔室和向玻璃表面喷洒蚀刻液的蚀刻腔室，按次序实施对竖直地排列的多块玻璃的清洗工艺、蚀刻工艺、清洗工艺来将玻璃薄形化；暗盒单元，其竖直地收容多块玻璃，向腔室单元中放入和引出玻璃；清洗液循环单元，其被排置在比所述腔室单元低的位置，将清洗液存储罐中存储的清洗液供应给清洗腔室，并回收完成玻璃清洗的清洗液；和蚀刻液循环单元，其被排置在比所述腔室单元低的位置，将蚀刻液存储罐中存储的蚀刻液供应给清洗腔室，并回收完成玻璃蚀刻的蚀刻液。通过本发明可以将玻璃的厚度制作地很薄，并将玻璃的厚度制作地很均匀。

公开(公告)号：CN102161570A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010219619.3

申请日：2010-07-07

Applicant: 株式会社M-M技术

Inventor： 张承逸

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明涉及上部向下喷射式基板蚀刻装置，更详细地涉及这样的上部向下喷射式基板蚀刻装置，即，涉及为了减薄玻璃基板的厚度而进行蚀刻处理，使喷射蚀刻液的喷射部件或/及层叠有基板的盒子中的至少一个振动而使蚀刻液均匀地喷射在基板上，从而可提高蚀刻的均匀性。

公开(公告)号：CN102863153B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201110306816.3

申请日：2011-10-08

Applicant: 株式会社M-M技术

Inventor： 张承逸 ,  崔钟春 ,  李相旭 ,  尹宝崇 ,  李炳弼

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明的玻璃薄形化系统，具备：腔室单元，其具备清洗玻璃的清洗腔室和向玻璃表面喷洒蚀刻液的蚀刻腔室，按次序实施对竖直地排列的多块玻璃的清洗工艺、蚀刻工艺、清洗工艺来将玻璃薄形化；暗盒单元，其竖直地收容多块玻璃，向腔室单元中放入和引出玻璃；清洗液循环单元，其被排置在比所述腔室单元低的位置，将清洗液存储罐中存储的清洗液供应给清洗腔室，并回收完成玻璃清洗的清洗液；和蚀刻液循环单元，其被排置在比所述腔室单元低的位置，将蚀刻液存储罐中存储的蚀刻液供应给清洗腔室，并回收完成玻璃蚀刻的蚀刻液。通过本发明可以将玻璃的厚度制作地很薄，并将玻璃的厚度制作地很均匀。