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公开(公告)号：CN101641178B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN200780046687.0
申请日：2007-06-15
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: B23K26/00
CPC classification number: B23K26/067
Abstract: 本发明涉及一种通过使用激光束来加工工件表面的激光加工装置。该激光加工装置包括：用于发射激光束的激光束发生单元；以及具有多个微镜的微镜器件，这些微镜被配置成以将所述工件的表面加工成所需形状的模式，将从所述激光束发生单元发射的激光束中的至少一部分激光束反射和传递到工件的表面。其中，所述微镜器件的微镜能够有选择地转换由所述激光束发生单元发射的激光束的光路。根据本发明，可用激光束将工件表面加工成二维或三维的所需形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101657893B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200880009848.3
申请日：2008-04-17
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/94 , G01N21/95607
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆的异物检测和修复系统及其方法。该系统包括：移送臂，用于移送并对准晶圆；检测装置，其安置晶圆，用于获取晶圆表面的图像；分析模块，用于分析出现在由所述检测装置获取的图像上的异物；以及修复装置，用于根据所分析的异物信息修复异物。该方法包括以下步骤：移送并对准晶圆；向经过对准的晶圆照射光线以获取晶圆的表面图像；读取表面图像以生成异物信息(位置、高度、直径)；将读取的异物信息与基准数据进行比较；将根据比较结果被判定为修复对象的异物的信息传送到修复装置；根据接收到的异物信息修复该异物。通过本发明的简单的结构检测及修复晶圆上的异物，能够节约费用，防止制造装备损耗，并提高半导体芯片的产率。
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公开(公告)号：CN101689497B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200880012597.4
申请日：2008-04-10
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32825 , H01J37/32935 , H05H1/0025
Abstract: 本发明的等离子监控装置，包括：等离子供给装置，具有电源供给部，用于供给电源；供给线，用于供给反应气体；放射喷嘴，向处理对象物放射所述等离子供给装置内部所产生的等离子；和摄像部，其以图像映像方式获得从等离子供给装置放射的等离子的放射状态；以及控制部，用于把数值化所述摄像部的图像映像的像素信息而获得的测定值，与正常放射状态下的基准加以比较，以检测等离子的放射状态。本发明利用摄像部以图像映像方式获得等离子的放射状态，并利用在控制部分析获得的所述图像映像的测定值，实时观察等离子的状态，并调节向等离子供给装置供给的反应气体供给量和等离子的放电条件，以控制多个所配置的等离子供给装置能够均匀放射等离子。
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公开(公告)号：CN101689497A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880012597.4
申请日：2008-04-10
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32357 , H01J37/32825 , H01J37/32935 , H05H1/0025
Abstract: 本发明的等离子监控装置，包括：等离子供给装置，具有电源供给部，用于供给电源；供给线，用于供给反应气体；放射喷嘴，向处理对象物放射所述等离子供给装置内部所产生的等离子；和摄像部，其以图像映像方式获得从等离子供给装置放射的等离子的放射状态；以及控制部，用于把数值化所述摄像部的图像映像的像素信息而获得的测定值，与正常放射状态下的基准加以比较，以检测等离子的放射状态。本发明利用摄像部以图像映像方式获得等离子的放射状态，并利用在控制部分析获得的所述图像映像的测定值，实时观察等离子的状态，并调节向等离子供给装置供给的反应气体供给量和等离子的放电条件，以控制多个所配置的等离子供给装置能够均匀放射等离子。
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公开(公告)号：CN101657893A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880009848.3
申请日：2008-04-17
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/9501 , G01N21/94 , G01N21/95607
Abstract: 本发明公开了一种半导体晶圆的异物检测和修复系统及其方法。该系统包括：移送臂，用于移送并对准晶圆；检测装置，其安置晶圆，用于获取晶圆表面的图像；分析模块，用于分析出现在由所述检测装置获取的图像上的异物；以及修复装置，用于根据所分析的异物信息修复异物。该方法包括以下步骤：移送并对准晶圆；向经过对准的晶圆照射光线以获取晶圆的表面图像；读取表面图像以生成异物信息(位置、高度、直径)；将读取的异物信息与基准数据进行比较；将根据比较结果被判定为修复对象的异物的信息传送到修复装置；根据接收到的异物信息修复该异物。通过本发明的简单的结构检测及修复晶圆上的异物，能够节约费用，防止制造装备损耗，并提高半导体芯片的产率。
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公开(公告)号：CN101641178A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200780046687.0
申请日：2007-06-15
Applicant: 株式会社SNU精密
IPC: B23K26/00
CPC classification number: B23K26/067
Abstract: 本发明涉及一种通过使用激光束来加工工件表面的激光加工装置。该激光加工装置包括：用于发射激光束的激光束发生单元；以及具有多个微镜的微镜器件，这些微镜被配置成以将所述工件的表面加工成所需形状的模式，将从所述激光束发生单元发射的激光束中的至少一部分激光束反射和传递到工件的表面。其中，所述微镜器件的微镜能够有选择地转换由所述激光束发生单元发射的激光束的光路。根据本发明，可用激光束将工件表面加工成二维或三维的所需形状。
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