公开(公告)号：CN104937705B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201480005010.2

申请日：2014-01-24

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 松本圭 ,  江里口和隆 ,  三次伯知 ,  久保田刚志

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了一种对实施热处理后的半导体晶片的金属污染评价方法，包括下述步骤：通过分析方法1或分析方法2对半导体晶片表面的多个分析部位进行分析来获得分析值，其中，分析方法1是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越小，分析方法2是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越大，并且其中，通过基于由概率分布函数规定的正常值评价分析值，来判断是否具有因评价对象金属元素而导致的局部污染。

公开(公告)号：CN104937705A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201480005010.2

申请日：2014-01-24

Applicant: 株式会社SUMCO

Inventor： 松本圭 ,  江里口和隆 ,  三次伯知 ,  久保田刚志

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/14 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20

Abstract: 本发明公开了一种对实施热处理后的半导体晶片的金属污染评价方法，包括下述步骤：通过分析方法1或分析方法2对半导体晶片表面的多个分析部位进行分析来获得分析值，其中，分析方法1是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越小，分析方法2是指因评价对象金属元素造成的污染量越多则用于评价的分析值越大，并且其中，通过基于由概率分布函数规定的正常值评价分析值，来判断是否具有因评价对象金属元素而导致的局部污染。