公开(公告)号：CN107689344B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：CN201710660704.5

申请日：2017-08-04

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 古拉密·波奇 ,  安迪·C·韦 ,  杰森·E·史蒂芬斯 ,  D·M·佩尔马纳 ,  J·瓦苏德万

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法及其产生的装置，其中，一种方法包括形成位在第一介电层中的第一与第二接触开口。至少第一接触开口与衬垫层至少部分排齐。第一传导特征是在第一接触开口中形成，并且第二传导特征是在第二接触开口中形成。移除与第一介电层的顶端表面相邻的衬垫层的一部分以界定凹口。在第一介电层上面及凹口中形成阻障层。该阻障层具有比该第一介电层的第二介电常数更大的第一介电常数。在该阻障层上面形成第二介电层。形成嵌埋于该第二介电层中并且接触该第二传导特征的第三传导特征。

公开(公告)号：CN107689344A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710660704.5

申请日：2017-08-04

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 古拉密·波奇 ,  安迪·C·韦 ,  杰森·E·史蒂芬斯 ,  D·M·佩尔马纳 ,  J·瓦苏德万

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/538 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明涉及形成高k接触衬垫以改善有效贯孔间隔距离的方法及其产生的装置，其中，一种方法包括形成位在第一介电层中的第一与第二接触开口。至少第一接触开口与衬垫层至少部分排齐。第一传导特征是在第一接触开口中形成，并且第二传导特征是在第二接触开口中形成。移除与第一介电层的顶端表面相邻的衬垫层的一部分以界定凹口。在第一介电层上面及凹口中形成阻障层。该阻障层具有比该第一介电层的第二介电常数更大的第一介电常数。在该阻障层上面形成第二介电层。形成嵌埋于该第二介电层中并且接触该第二传导特征的第三传导特征。