公开(公告)号：CN103972236B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201410044017.7

申请日：2014-01-30

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 蔡秀雨 ,  谢瑞龙 ,  A·卡基菲鲁兹 ,  程慷果

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L21/782

CPC classification number: H01L29/7853 ,  H01L21/28 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及包含鳍式场效电晶体装置的集成电路及其制造方法，提供数种集成电路及用以制造集成电路的方法。在一实施例中，集成电路包含半导体基板。彼此毗邻地从该半导体基板延伸的第一鳍片及第二鳍片。该第一鳍片有第一上半段以及该第二鳍片有第二上半段。第一磊晶部覆于该第一上半段上以及第二磊晶部覆于该第二上半段上。第一硅化物层覆于该第一磊晶部上以及第二硅化物层覆于该第二磊晶部上。该第一及该第二硅化物层彼此隔开以定义横向间隙。介电间隔体由介电材料形成以及跨越该横向间隙。接触形成材料覆于该介电间隔体以及该第一及该第二硅化物层横向在该介电间隔体上方的部分上。

公开(公告)号：CN105590865A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510745195.7

申请日：2015-11-05

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/32133 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种在FINFET器件上形成替代栅极结构的方法及其得到的器件。其中，本发明揭露一种方法包括，除其他方法之外，形成具有上表面及多个侧表面的鳍部，形成包括具有密度小于1.8克/立方厘米的低密度氧化材料且与该鳍部的该上表面及该测表面相接触，以及位于该低密度氧化材料的该上表面上并与其相接触的牺牲栅极材料的牺牲栅极结构，并且形成侧壁间隔件相邻于该牺牲栅极结构。该方法更包括去除该牺牲栅极材料，以便从而暴露出该低密度氧化材料以定义替代栅极孔，并且在该替代栅极孔中形成替代栅极结构。

公开(公告)号：CN103972067B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201410044030.2

申请日：2014-01-30

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  程慷果 ,  A·卡基菲鲁兹

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 一种具有取代栅极结构的集成电路及其制造方法，制造集成电路的方法包括形成层间介电(ILD)层于虚拟栅极堆栈上方。虚拟栅极堆栈包括形成于半导体基底上方的虚拟栅极结构、硬掩模层、以及侧壁分隔物。本方法再包括移除虚拟栅极堆栈至少一上方部分以在ILD层内形成第一开口、通过完全移除虚拟栅极堆栈的虚拟栅极结构扩展第一开口以形成第一扩展开口、以及在第一开口内和第一扩展开口内沉积至少一功函数材料层。还有，本方法包括移除第一开口内的部分功函数材料并且在功函数材料的残余部位上方沉积低电阻材料，借以形成包括有功函数材料残余部位和低电阻材料的取代金属栅极结构。

公开(公告)号：CN106158749A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510183896.6

申请日：2015-04-17

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 蔡秀雨 ,  H·金 ,  张洵渊

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的替代金属栅极中的功函数金属的选择性生长。具体来说，提供P通道场效晶体管(p-FET)及n通道场效晶体管形成(n-FET)于基板上，该p通道场效晶体管与该n通道场效晶体管各具有凹口形成于其中，在各凹口内形成高k层与阻挡层，在n通道场效晶体管的凹口内选择性生长功函数金属(WFM)，其中该高k层、该阻挡层及该功函数金属在该凹口内各被凹陷至所需的高度，且在各凹口内形成金属材料(例如钨)。通过在工艺中早期提供功函数金属的挖槽，降低掩模材料填充到各栅极凹口的风险。此外，该选择性的功函数金属生长增进该金属材料的填充，进而降低该装置中的栅极电阻。

公开(公告)号：CN103489784B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310225298.1

申请日：2013-06-07

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  A·C·魏 ,  R·米勒

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种具有改良的栅极高度均匀性的半导体装置及其制造方法，其中，提供数种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。在一具体实施例中，一种用于制造半导体装置的方法包括：在半导体表面上形成包含多晶硅栅极及帽盖的临时栅极结构。形成间隔体于该临时栅极结构四周。移除该帽盖与该间隔体的一部分。沉积覆于该多晶硅栅极上的均匀衬板。该方法移除覆于该多晶硅栅极上的该均匀衬板的一部分以及该多晶硅栅极以形成栅极沟槽。然后，在该栅极沟槽中形成取代金属栅极。

公开(公告)号：CN103219231A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310021597.3

申请日：2013-01-21

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  R·米勒 ,  A·诺尔

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4966 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

Abstract: 本文揭示形成用于半导体装置的取代栅极结构的方法。在一实施例中，该方法包含下列步骤：形成一牺牲栅极结构于一半导体基板上方，移除该牺牲栅极结构以借此定义一栅极凹室，在该栅极凹室中形成一层绝缘材料，以及在该栅极凹室内形成一层金属于该绝缘材料层上方。该方法还包含下列步骤：在该栅极凹室中形成一牺牲材料以便覆盖该金属层的一部分且借此定义该金属层的一暴露部，对于该金属层的该暴露部执行一蚀刻工艺以借此由该栅极凹室内移除该金属层的该暴露部，以及在执行该蚀刻工艺后，移除该牺牲材料并形成一导电材料于该金属层的其余部分上方。

公开(公告)号：CN105591025B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201510767059.8

申请日：2015-11-11

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 张洵渊 ,  谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  S·南 ,  H-J·赵

IPC: H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L21/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法，其提供不使用微影掩模来形成自对准MTJ的方法和所得装置。具体实施例包括：形成第一电极于金属层上方，使该金属层凹进低k介电层；形成MTJ层于第一电极上方；形成第二电极于该MTJ层上方；部份移除该第二电极、该MTJ层及该第一电极向下到该低k介电层；形成氮化硅基层于该第二电极及该低k介电层上方；以及平坦化该氮化硅基层向下到该第二电极。

公开(公告)号：CN105591025A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510767059.8

申请日：2015-11-11

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 张洵渊 ,  谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  S·南 ,  H-J·赵

IPC: H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01L21/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明涉及无掩模建立自对准磁性穿隧接面的拓朴方法，其提供不使用微影掩模来形成自对准MTJ的方法和所得装置。具体实施例包括：形成第一电极于金属层上方，使该金属层凹进低k介电层；形成MTJ层于第一电极上方；形成第二电极于该MTJ层上方；部份移除该第二电极、该MTJ层及该第一电极向下到该低k介电层；形成氮化硅基层于该第二电极及该低k介电层上方；以及平坦化该氮化硅基层向下到该第二电极。

公开(公告)号：CN104517859A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410524980.5

申请日：2014-10-08

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  程慷果 ,  A·卡基菲鲁兹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L21/28 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明涉及利用替代栅极技术形成鳍式场效晶体管的方法和器件，揭露一种方法包括，除此之外，形成一凸起的隔离柱结构在第一和第二鳍片之间，其中该凸起的隔离柱结构部分分别地定义出第一和第二空间在第一和第二鳍片之间，并形成一栅极结构在该第一和第二鳍片和该凸起的隔离柱结构的周围，其中该栅极结构的至少一部份位于该第一和第二空间中。一示例性器件包括，除此之外，第一和第二鳍片，一凸起的隔离柱结构位于该第一和第二鳍片之间，第一和第二空间由该鳍片和该凸起的隔离柱结构所定义出，且一栅极结构位于该鳍片和该隔离柱结构的部分的周围。

公开(公告)号：CN103972067A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201410044030.2

申请日：2014-01-30

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  蔡秀雨 ,  程慷果 ,  A·卡基菲鲁兹

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28114 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636

Abstract: 一种具有取代栅极结构的集成电路及其制造方法，制造集成电路的方法包括形成层间介电(ILD)层于虚拟栅极堆栈上方。虚拟栅极堆栈包括形成于半导体基底上方的虚拟栅极结构、硬掩模层、以及侧壁分隔物。本方法再包括移除虚拟栅极堆栈至少一上方部分以在ILD层内形成第一开口、通过完全移除虚拟栅极堆栈的虚拟栅极结构扩展第一开口以形成第一扩展开口、以及在第一开口内和第一扩展开口内沉积至少一功函数材料层。还有，本方法包括移除第一开口内的部分功函数材料并且在功函数材料的残余部位上方沉积低电阻材料，借以形成包括有功函数材料残余部位和低电阻材料的取代金属栅极结构。