公开(公告)号：CN107393916A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710256857.3

申请日：2017-04-19

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 李建兴 ,  曼约纳塔·普拉布 ,  马哈德瓦尔·纳塔拉恩

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及用于具有静电放电保护的MOSFET的方法、装置及系统，其方法、装置及系统涉及抗静电放电的MOSFET，尤其涉及半导体装置。该半导体装置包括：包括栅极、源极及漏极的场效应晶体管(FET)，该栅极、源极及漏极全部沿第一方向彼此平行延伸；至少一个源极静电放电(ESD)保护电路；源极端子，设于该至少一个源极静电放电保护电路上方并与其电性接触，其中，该源极端子沿该第一方向延伸；至少一个漏极静电放电保护电路；以及漏极端子，设于该至少一个漏极静电放电保护电路上方并与其电性接触，其中，该漏极端子沿该第一方向延伸。

公开(公告)号：CN107658266A

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：CN201710594433.8

申请日：2017-07-20

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 李建兴 ,  马哈德瓦尔·纳塔拉恩 ,  曼约纳塔·普拉布

IPC: H01L21/77

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0262 ,  H01L29/66371 ,  H01L29/7408 ,  H01L29/785 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明涉及用于包含触发电压可调式叠接晶体管的ESD保护电路的方法。具体实施例包括提供包括相邻第一类型井区的衬底，在该衬底上方，各对第一类型井区由第二类型井区所分开；提供位在各第一与第二类型井区中的一或多个接面区，各接面区属于第一类型或第二类型；形成彼此相隔、垂直于该第一与第二类型接面区并位在其上方的鳍片；以及通过在该第一类型井区中的该第一和第二类型接面区与该衬底之间形成电连接来形成接面类型装置，其中第一类型井区中的第一级接面类型装置包括堆叠的第一与第二类型接面区，以及其中该第一级接面类型装置是包括第一与第二类型接面区的相邻第二类型井区。

公开(公告)号：CN107393916B

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201710256857.3

申请日：2017-04-19

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 李建兴 ,  曼约纳塔·普拉布 ,  马哈德瓦尔·纳塔拉恩

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及用于具有静电放电保护的MOSFET的方法、装置及系统，其方法、装置及系统涉及抗静电放电的MOSFET，尤其涉及半导体装置。该半导体装置包括：包括栅极、源极及漏极的场效应晶体管(FET)，该栅极、源极及漏极全部沿第一方向彼此平行延伸；至少一个源极静电放电(ESD)保护电路；源极端子，设于该至少一个源极静电放电保护电路上方并与其电性接触，其中，该源极端子沿该第一方向延伸；至少一个漏极静电放电保护电路；以及漏极端子，设于该至少一个漏极静电放电保护电路上方并与其电性接触，其中，该漏极端子沿该第一方向延伸。