公开(公告)号：CN104835846B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201510064958.1

申请日：2015-02-06

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： M-h·齐 ,  A·雅各布 ,  A·保罗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种具有用于多值逻辑应用的多层鳍部的鳍式场效晶体管及其形成方法，其中，揭露形成具有小占用面积的多值逻辑晶体管的方法及所得到的装置。实施例包括于硅基板上形成多个鳍片，各该鳍片以硬掩模覆盖住；以氧化物填充该鳍片与该硬掩模之间的空间；移除该硬掩模且使各该鳍片凹陷，在各鳍片上方氧化物中形成凹穴；在各该凹穴中形成多层硅基底层，该些硅基底层具有从底层到顶层逐渐增加的锗或碳含量的比例或逐渐减少的掺杂浓度；对鳍片的顶部进行化学机械抛光以达到平坦化；使该氧化物凹陷到一稍微低于鳍片顶部的深度，且鳍片的厚度相等于各该硅基底层的厚度；以及于该多层硅基底层上方形成一高k值介电栅极及金属栅极电极。

公开(公告)号：CN104835846A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064958.1

申请日：2015-02-06

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： M-h·齐 ,  A·雅各布 ,  A·保罗

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种具有用于多值逻辑应用的多层鳍部的鳍式场效晶体管及其形成方法，其中，揭露形成具有小占用面积的多值逻辑晶体管的方法及所得到的装置。实施例包括于硅基板上形成多个鳍片，各该鳍片以硬掩模覆盖住；以氧化物填充该鳍片与该硬掩模之间的空间；移除该硬掩模且使各该鳍片凹陷，在各鳍片上方氧化物中形成凹穴；在各该凹穴中形成多层硅基底层，该些硅基底层具有从底层到顶层逐渐增加的锗或碳含量的比例或逐渐减少的掺杂浓度；对鳍片的顶部进行化学机械抛光以达到平坦化；使该氧化物凹陷到一稍微低于鳍片顶部的深度，且鳍片的厚度相等于各该硅基底层的厚度；以及于该多层硅基底层上方形成一高k值介电栅极及金属栅极电极。