公开(公告)号：CN107154358B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201710120097.3

申请日：2017-03-02

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  M·K·阿卡尔瓦尔达尔 ,  A·克内尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及SRB弹性松弛的方法及结构，其提供首先用垂直于后续鳍片方向的切口掩膜并接着用平行于该鳍片方向的切口掩膜来形成SRB finFET鳍片的方法以及所得装置。实施例包括：在衬底上形成SiGe SRB；在该SRB上方形成Si层；在该Si层中形成NFET沟道及SiGe PFET沟道；向下穿过各别该NFET及PFET沟道以及该SRB至该衬底形成切口，该些切口形成于该衬底的相对端部上并垂直于该NFET及PFET沟道；在该SRB及该NFET与PFET沟道中形成鳍片，该些鳍片垂直于该些切口形成；在该NFET与PFET沟道之间形成切口，该切口平行于该些鳍片形成；用氧化物填充该切口；以及向下凹入该氧化物至该SRB。

公开(公告)号：CN107154358A

公开(公告)日：2017-09-12

申请号：CN201710120097.3

申请日：2017-03-02

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  M·K·阿卡尔瓦尔达尔 ,  A·克内尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及SRB弹性松弛的方法及结构，其提供首先用垂直于后续鳍片方向的切口掩膜并接着用平行于该鳍片方向的切口掩膜来形成SRB finFET鳍片的方法以及所得装置。实施例包括：在衬底上形成SiGe SRB；在该SRB上方形成Si层；在该Si层中形成NFET沟道及SiGe PFET沟道；向下穿过各别该NFET及PFET沟道以及该SRB至该衬底形成切口，该些切口形成于该衬底的相对端部上并垂直于该NFET及PFET沟道；在该SRB及该NFET与PFET沟道中形成鳍片，该些鳍片垂直于该些切口形成；在该NFET与PFET沟道之间形成切口，该切口平行于该些鳍片形成；用氧化物填充该切口；以及向下凹入该氧化物至该SRB。