公开(公告)号：CN105378936B

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201480039634.6

申请日：2014-03-25

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： A·K·斯坦普

IPC: H01L29/84

Abstract: 本发明揭露为微机电系统(Micro‑Electro‑Mechanical System；MEMS)结构、制造方法以及设计结构。该方法包括形成从设于腔体结构内的微机电系统(MEMS)横梁结构延伸的缓冲器。该方法还包括在与该MEMS横梁相对的该腔体结构的一侧上形成伪着陆结构，当该MEMS横梁处于非制动状态时，该伪着陆结构横向偏离该缓冲器。

公开(公告)号：CN105378936A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480039634.6

申请日：2014-03-25

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： A·K·斯坦普

IPC: H01L29/84

CPC classification number: B81B3/001

Abstract: 本发明揭露为微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System；MEMS)结构、制造方法以及设计结构。该方法包括形成从设于腔体结构内的微机电系统(MEMS)横梁结构延伸的缓冲器。该方法还包括在与该MEMS横梁相对的该腔体结构的一侧上形成伪着陆结构，当该MEMS横梁处于非致动状态时，该伪着陆结构横向偏离该缓冲器。