公开(公告)号：CN107424996B

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201710291608.8

申请日：2017-04-28

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 尼古拉斯·文森特·利考西 ,  E·S·科扎尔斯基 ,  古拉密·波奇

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及用于半导体装置的结合SADP鳍片及其制造方法，半导体胞元包括衬底、以及含至少五个实质平行鳍片的阵列，此等鳍片是以实质均等鳍宽布置于该衬底上。阵列内至少一对相邻鳍片间包括预定最小间隔距离。阵列具有用于n型半导体装置的第一n型鳍片、及用于p型半导体装置的第一p型鳍片。该第一p型鳍片是与该第一n型鳍片相邻而置并且以预定第一n至p距离与该第一n型鳍片相隔。该第一n至p距离大于该最小间隔距离，并且小于该鳍宽加两倍该最小间隔距离的总和。

公开(公告)号：CN107424996A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710291608.8

申请日：2017-04-28

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： 尼古拉斯·文森特·利考西 ,  E·S·科扎尔斯基 ,  古拉密·波奇

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及用于半导体装置的结合SADP鳍片及其制造方法，半导体胞元包括衬底、以及含至少五个实质平行鳍片的阵列，此等鳍片是以实质均等鳍宽布置于该衬底上。阵列内至少一对相邻鳍片间包括预定最小间隔距离。阵列具有用于n型半导体装置的第一n型鳍片、及用于p型半导体装置的第一p型鳍片。该第一p型鳍片是与该第一n型鳍片相邻而置并且以预定第一n至p距离与该第一n型鳍片相隔。该第一n至p距离大于该最小间隔距离，并且小于该鳍宽加两倍该最小间隔距离的总和。