公开(公告)号：CN107017166A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201710045521.2

申请日：2017-01-20

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： M·A·史密斯 ,  S·S·马哈詹 ,  H·L·霍

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM，其提供形成eDRAM的多晶硅填充深沟槽的方法。该方法可包括在衬底中形成多个多晶硅填充深沟槽。向该沟槽的上部引入外延抑制掺杂物。接着，在该衬底上方形成多个鳍片，各多晶硅填充深沟槽包括延伸于其上方的相应鳍片。至少在该多晶硅填充深沟槽上方外延生长硅层。该多晶硅填充深沟槽中的该掺杂物用以控制该硅层的该外延生长，以消除或防止在先进技术节点与相邻鳍片和/或深沟槽短路。

公开(公告)号：CN107017166B

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201710045521.2

申请日：2017-01-20

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： M·A·史密斯 ,  S·S·马哈詹 ,  H·L·霍

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及控制eDRAM深沟槽上方的外延生长以及如此形成的eDRAM，其提供形成eDRAM的多晶硅填充深沟槽的方法。该方法可包括在衬底中形成多个多晶硅填充深沟槽。向该沟槽的上部引入外延抑制掺杂物。接着，在该衬底上方形成多个鳍片，各多晶硅填充深沟槽包括延伸于其上方的相应鳍片。至少在该多晶硅填充深沟槽上方外延生长硅层。该多晶硅填充深沟槽中的该掺杂物用以控制该硅层的该外延生长，以消除或防止在先进技术节点与相邻鳍片和/或深沟槽短路。