公开(公告)号：CN105742169B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201511021306.6

申请日：2015-12-30

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： B·J·布朗 ,  N·B·费尔彻恩弗尔德 ,  M·G·勒维 ,  S·莎尔玛 ,  Y·石 ,  M·J·谢拉克

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明涉及一种LDMOS装置中的锥形栅极氧化物。本发明提供用于LDMOS装置的方法。一种形成半导体结构的方法包括：形成栅极介电质，该栅极介电质包括具有第一均匀厚度的第一部分、具有不同于该第一均匀厚度的第二均匀厚度的第二部分、以及具有自该第一部分延伸至该第二部分的锥形表面的过渡部分。该栅极介电质形成于衬底的平坦的上表面上。该锥形表面相对于该衬底的该上表面呈锐角。

公开(公告)号：CN105742169A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201511021306.6

申请日：2015-12-30

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： B·J·布朗 ,  N·B·费尔彻恩弗尔德 ,  M·G·勒维 ,  S·莎尔玛 ,  Y·石 ,  M·J·谢拉克

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L29/42368 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L21/28158

Abstract: 本发明涉及一种LDMOS装置中的锥形栅极氧化物。本发明提供用于LDMOS装置的方法。一种形成半导体结构的方法包括：形成栅极介电质，该栅极介电质包括具有第一均匀厚度的第一部分、具有不同于该第一均匀厚度的第二均匀厚度的第二部分、以及具有自该第一部分延伸至该第二部分的锥形表面的过渡部分。该栅极介电质形成于衬底的平坦的上表面上。该锥形表面相对于该衬底的该上表面呈锐角。