公开(公告)号：CN104835751B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201510069654.4

申请日：2015-02-10

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  英特摩勒卡莱有限公司

Inventor： R·维勒克 ,  T·阿塔纳索夫 ,  A·董 ,  G·诺林

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L24/11 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941

Abstract: 本发明揭露在集成电路制造期间蚀刻铜的方法。在一个示例实施例中，一种制造集成电路的方法包括：提供集成电路结构，该集成电路结构包括铜凸块结构以及位于该铜凸块结构下方并邻近该铜凸块结构的铜晶种层；以及利用湿式蚀刻化学相对该铜凸块结构选择性蚀刻该晶种层，该湿式蚀刻化学由体积百分比为约0.07至约0.36的H3PO4，体积百分比为约0.1至约0.7的H2O2，以及其余为H2O及可选的NH4OH组成。

公开(公告)号：CN104821271B

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：CN201510055498.6

申请日：2015-02-03

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： T·A·阿塔纳索夫 ,  R·维勒克 ,  A·N·董

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明涉及蚀刻底层凸块金属化层及产生的装置，揭露用于湿蚀刻UBM层的方法及所导致的装置。实施例可包括：在具有至少两金属层的晶圆上图案成形金属凸块；曝露该晶圆至第一酸溶液，以移除由图案成形该金属凸块所曝露出的该两金属层中的一部分第一层；以及曝露该晶圆至第二酸溶液，以移除由图案成形该金属凸块与曝露该晶圆至该第一酸溶液所曝露出的该两金属层中的一部分第二层，其中，由移除该部分的该第一金属层及第二金属层所形成的在该金属凸块下面的底切是少于1.5微米。

公开(公告)号：CN102881604B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201210241656.3

申请日：2012-07-12

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： R·维勒克 ,  S·泽纳尔

IPC: H01L21/60 ,  B23K1/20

CPC classification number: H01L24/11 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/206 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/849 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种在回焊前清洗焊料凸块的方法，大体有关于用以形成现代精密半导体装置的方法，且更特别的是，可在半导体芯片的接触层上方形成实质无铅焊料凸块的方法。揭示于本文的一示范方法包括下列步骤：形成焊料凸块于半导体装置的金属化层上方，移除在该焊料凸块的表面上的氧化物膜，以及在移除该氧化物膜后，在还原性气氛中进行焊料凸块回焊工艺以回焊该焊料凸块。

公开(公告)号：CN104821271A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510055498.6

申请日：2015-02-03

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： T·A·阿塔纳索夫 ,  R·维勒克 ,  A·N·董

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/52

Abstract: 本发明涉及蚀刻底层凸块金属化层及产生的装置，揭露用于湿蚀刻UBM层的方法及所导致的装置。实施例可包括：在具有至少两金属层的晶圆上图案成形金属凸块；曝露该晶圆至第一酸溶液，以移除由图案成形该金属凸块所曝露出的该两金属层中的一部分第一层；以及曝露该晶圆至第二酸溶液，以移除由图案成形该金属凸块与曝露该晶圆至该第一酸溶液所曝露出的该两金属层中的一部分第二层，其中，由移除该部分的该第一金属层及第二金属层所形成的在该金属凸块下面的底切是少于1.5微米。

公开(公告)号：CN104835751A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510069654.4

申请日：2015-02-10

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  英特摩勒卡莱有限公司

Inventor： R·维勒克 ,  T·阿塔纳索夫 ,  A·董 ,  G·诺林

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L24/11 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26 ,  C23F1/34 ,  C23F1/44 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/04941

Abstract: 本发明揭露在集成电路制造期间蚀刻铜的方法。在一个示例实施例中，一种制造集成电路的方法包括：提供集成电路结构，该集成电路结构包括铜凸块结构以及位于该铜凸块结构下方并邻近该铜凸块结构的铜晶种层；以及利用湿式蚀刻化学相对该铜凸块结构选择性蚀刻该晶种层，该湿式蚀刻化学由体积百分比为约0.07至约0.36的H3PO4，体积百分比为约0.1至约0.7的H2O2，以及其余为H2O及可选的NH4OH组成。

公开(公告)号：CN102881604A

公开(公告)日：2013-01-16

申请号：CN201210241656.3

申请日：2012-07-12

Applicant: 格罗方德半导体公司

Inventor： R·维勒克 ,  S·泽纳尔

IPC: H01L21/60 ,  B23K1/20

CPC classification number: H01L24/11 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K1/206 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/849 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及一种在回焊前清洗焊料凸块的方法，大体有关于用以形成现代精密半导体装置的方法，且更特别的是，可在半导体芯片的接触层上方形成实质无铅焊料凸块的方法。揭示于本发明的一示范方法包括下列步骤：形成焊料凸块于半导体装置的金属化层上方，移除在该焊料凸块的表面上的氧化物膜，以及在移除该氧化物膜后，在还原性气氛中进行焊料凸块回焊工艺以回焊该焊料凸块。