半导体激光器及半导体激光器的制备方法

    公开(公告)号:CN114552370A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210158581.6

    申请日:2022-02-21

    Inventor: 赖锦锋 张利斌

    Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器及半导体激光器的制备方法。半导体激光器包括:激光器组件包括激光芯片;石墨结构,位于激光芯片的一侧;热沉结构,包括用于防止激光芯片和石墨结构之间产生热应力的过渡热沉,过渡热沉位于石墨结构和激光芯片之间,且激光芯片通过过渡热沉与石墨结构连接。本发明的技术方案解决了现有技术中的半导体激光器热应力过大的问题。

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