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公开(公告)号：CN116390637A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310381850.X
申请日：2023-04-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明公开了一种免电铸的氧化铪基扩散型忆阻器。因目前扩散型忆阻器大都需要一个大的电铸电压激活其阈值转变行为，但电铸会造成较多的金属阳离子迁移到阻变层，这增加器件参数的散布性，并会大幅降低器件的耐受性，电铸也影响扩散型忆阻器在大型电路中的应用。故本发明采用内嵌银纳米岛结合一定的厚度的氧化铪介质层，使得扩散型器件免除电铸的需求，器件的耐受性能得到了大幅提高，并降低了器件的阈值电压，这有利于降低扩散型忆阻器实际使用过程中电路的能耗，本发明有助于促进扩散型忆阻器的应用。
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