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公开(公告)号：CN101421795A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200780012832.3
申请日：2007-04-05
Applicant: 模拟装置公司
CPC classification number: G11C16/3468 , G11C16/3477
Abstract: 本申请解决擦除EEPROM期间产生的FN隧穿擦除周期没有自限性的问题。现有方法通过采用监视算法来解决该问题。然而，这些算法使擦除过程时间变慢。本申请提供另一种方法来擦除EEPROM单元，该方法减少了对监视算法的需要。所述方法包括提高擦除栅处的电势并降低控制栅处的电势以引起穿过擦除栅的FN隧穿的初始步骤。采用随后的软编程步骤提高控制栅处的电势，使其足以引起穿过晶体管氧化物层的FN隧穿。还公开了一种特别适合这种方法的新结构。
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